中环领先半导体科技股份有限公司，专注于半导体材料及其延伸产业领域的研发和制造，坚持以创新驱动发展，为全球客户提供全产品解决方案，致力于成为全球领先的半导体材料供应商。
产业布局
江苏宜兴厂区
集成电路级半导体硅片研发制造中心
8~12英寸全产品研发和规模制造，12英寸工厂定位“Power+IC”双产品路线，规划产能70万片/月，8英寸工厂面向Logic、Power市场。
江苏徐州厂区
集成电路级半导体硅片研发制造中心
专注12英寸集成电路用硅片研发制造，产品以Logic和Memory为主，已取得国际一线客户认证，平均完美晶体率表现出色，规划产能60万片/月。
天津厂区
功率产品研发制造中心
目标打造北方最大特色功率半导体材料生产基地，建立8英寸及以下智能化生产线，发挥“FZ区熔+CZ直拉”双工艺产品优势。
呼和浩特厂区
晶体研发制造中心
打造最具规模效应的直拉晶体研发制造中心，发挥资源集约和产业链配套优势，延展半导体单晶产业链。
发展历程
2023 完成战略重组，中环领先徐州工厂正式揭牌
2022 天津半导体材料研究院成立‘’CNAS实验室揭牌
2020 300mm 集成电路用抛光片量产
2019 300mm CopFree 单晶研发突破
2017 集成电路用200-300mm硅片生产基地启动
2015 呼和浩特直拉单晶研发制造基地启动
2012 200mm CZ重掺硅抛光片量产
2011 首颗200mm FZ单晶硅拉制成功
2008 150mm功率器件用硅抛光片投产
2003 实现硅片多线切割技术对内圆切割技术的替代
2002 首颗150mm FZ单晶硅拉制成功
主要产品
外延片：外延片由抛光片经过外延生长形成，在抛光面上生长一层或多层具有特定掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构的外延层。
SOI片：SOI硅片即绝缘体上硅，在顶层硅和支撑衬底之间引入一层氧化物绝缘埋层，应用于制作高性能、低功耗、高集成度的芯片。
氩退火片：氩退火片是在氩气环境中经过退火热处理在硅片表面形成洁净区的抛光片，利用退火工艺提升吸杂能力，消除表面缺陷，改善器件性能。
SiC外延片：SiC碳化硅外延片，是在碳化硅衬底上生长一层具有特定要求且与衬底晶向相同的单晶薄膜的碳化硅片。
硅基GaN外延片：硅基GaN氮化镓外延片，具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。
其他产品：硅研磨片，经过抛光等精密加工可制成抛光片以及外延片；硅腐蚀片，即利用混酸蚀刻的硅片，去除表面应力损伤层，整片硅片维持高质量的单晶特性。
应用领域
半导体材料及其延伸产业领域
