成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。
蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。
蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifier）及FRMOS（Fast Recovery MOSFET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
发展历程
2024年
第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布
通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证
2023年
《2023 碳化硅(Sic)产业调研白皮书》正式发布；蓉矽半导体参编《2023 碳化硅(SiC)产业调研白皮书》，助力产业加速发展创新
四川省专精特新中小企业认定；蓉矽半导体顺利通过2023年度四川省专精特新中小企业认定
NEPCON Japan 2023日本国际电子展；蓉矽半导体携明星产品亮相NEPCON Japan 2023 日本国际电子展，加速拓展海外市场
WLTBI系统启动仪式；蓉矽半导体WLTBI系统启动仪式在成都总部进行，切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性
1200V 12m9 NovuSicgMOSFET蓉矽半导体1200V12mΩ NovuSic® MOSFET量产
通过ISO三大体系认证；蓉矽半导体顺利通过德国莱茵TÜV集团ISO“质量、环境、健康”三大体系认证
与台湾汉磊科技成为长期战略合作伙伴；汉磊科技将蓉矽半导体代工产品优先级列为第一等级
2022年
高新技术企业认定；蓉矽半导体顺利获批四川省2022年第一批高新技术企业
线上新品发布会成功举办；蓉矽半导体第一代碳化硅MOSFET正式发布
顺利完成Pre-A轮融资敬请关注9月27日线上新品发布会
举办“芯见未来”产品发布会；发布自主开发的NovuSic® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列产品
SiC二极管(G1)量产；1200V/20A EJBS™二极管正式量产
2021年
订单金额达300万；硅基MCR@订单金额达300万
SiC MOSFET(G1)量产；SiC MOSFET(G1)1200V/75mΩ 正式量产
SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率
天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产
硅基MCR科技成果转化；电子科大功率集成技术实验室专利突破性硅基理想二极管
2020年
Sic二极管(G1)开发成功；1200V/20A EJBS™ SiC二极管首次工程流片即达97%良率
2019年
蓉矽半导体成立；设立于成都市高新区外资矽能科技功率半导体孵化器
质量管理体系
蓉矽半导体拥有ISO 9001质量管理体系认证，建立了IATF 16949供应链体系，严控产业链。
在全国范围内率先投资引入国际先进WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，确保碳化硅晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准。
蓉矽出品的产品均严格执行AEC-Q101标准，并在此基础上创造性地提出了公司内部的AEC-Q101+标准，称之为 NovuSuperior。
技术优势
蓉矽拥有全供应链IATF 16949认证以确保产能，前段具备台湾晶圆制造与工程管理能力，后段掌握大陆封测、应用方案，并有全球多平台与合作伙伴提供产能与技术支持，市场需求广阔。
蓉矽拥有极富经验的国际化团队，包括十年碳化产品开发经验的欧洲与日本国际化团队，涵盖制程、器件设计与可靠性验证；得到了电子科技大学功率集成技术实验室团队的大力支持，还有瑞士器件设计与工艺专家与前日本汽车电子功率器件设计与可靠性专家鼎立坐阵，技术、人才、产能、市场优势明显。
主要产品
二极管、MOSFET
应用方案
新能源汽车、光伏逆变器、充电桩、储能、工业电机
