ESD敏感度:3 kV |
供电电压:3.0~3.6 Vdc |
分辨率:14 位 |
启动时间:2.8~7.3 ms |
响应时间:0.5 ms |
存储温度范围:-40~125 ℃ |
寿命:至少100万次循环 |
封装形式:SOIC16 |
封装特性:倒钩状压力口 |
工作模式:表压类型 |
总误差带(TEB):±1.0% |
接口类型:I2C |
测量量程:-5~40 cmH2O |
爆破压力:3倍满量程 |
电源电流:1.6~2.1 mA |
补偿温度范围:-10~65 ℃ |
输出类型:数字信号输出 |
过载压力:2倍满量程 |
通信速率:100~400 kHz |
默认通信地址:0x28 |
ESD敏感度:3kV |
供电电压:3.3V或5V |
分辨率:14位 |
压力端口:双轴向带刺端口 |
压力类型:差压 |
启动时间:2.8~7.3ms |
响应时间:0.5ms |
存储温度范围:-40~125℃ |
封装形式:SOIC16 |
工作温度范围:-20~+85℃ |
接口类型:I2C, SPI |
焊接时间:最长15秒 |
焊接温度:250°C |
爆破压力:3倍满量程 |
电源电流:1.6~2.1mA |
精度:±0.25%FSS |
补偿温度范围:-20~85℃, 0~85℃, 0~50℃ |
负载电阻:1~4.7kΩ |
输出类型:I2C/SPI/模拟 |
过载压力:2倍满量程 |
默认通信地址:0X28 |
ESD敏感度:3kV(人体模式) |
供电电压:3.3V或5V |
分辨率:14位 |
启动时间:2.8~7.3ms |
响应时间:0.46ms |
存储温度范围:-40~125℃ |
工作温度范围:-20~+85℃ |
接口类型:SPI, I2C |
爆破压力:3倍满量程 |
电源电流:1.6~3mA |
精度:±0.25%FSS |
输出类型:数字输出/模拟输出 |
过载压力:2倍满量程 |
ESD敏感度:≤3 kV |
供电电压:3.0~3.6 Vdc |
分辨率:24位 |
存储温度范围:-40~125 ℃ |
寿命:≥100万次循环 |
工作温度范围:-40~85 ℃ |
工作电流:≤2.0 mA |
待机电流:≤0.1 mA |
总误差带(TEB):±0.5% |
湿度范围:0%~95% RH(仅干燥气体) |
焊接时间(回流焊):≤4秒 |
焊接时间(波峰焊):≤15秒 |
焊接温度:250℃ |
爆破压力:3倍满量程 |
精度:±0.1%FSS |
补偿温度范围:-40~85 ℃ |
过载压力:2倍满量程 |
通信接口:I2C |
默认通信地址:0x78 |
供电电压:9~35 V DC |
净重:180 g |
存储温度范围:-40℃~+100℃ |
封装形式:塑壳 |
工作温度范围:-40℃~+85℃ |
工作电流:20~50 mA |
测量方向:单轴 |
灵敏度:25 mV/° |
电压输出范围:1.0 V~4.0 V |
量程:±60° |
防护等级:IP65 |
零点输出电压:2.5 V |
频率响应:10 Hz |
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