UVW 输出分辨率:1 至 32 CPR |
位置更新率:20 ns |
启动时间:最长 10 ms |
增量输出分辨率:1 至 65,536 CPR |
封装类型:QFN32-5x5 |
工作温度范围:-40 °C 至 125 °C |
工作距离:0.5...2 mm |
抖动 (DNL):± 0.002° 在 10,000 AB 周期 |
无噪声分辨率:13 位 |
最大转速:360,000 rpm |
电源电压:3.1 至 3.6 V |
磁场范围:30 mT 至 160 mT |
磁输入频率:0...6 kHz |
精度 (INL):± 0.15° |
角度分辨率:24 位 |
角度噪声 (Nrms):静止时 25 弧秒 |
输出延迟:1.5 μs |
输出接口类型:BiSS, SSI, SPI |
AB 频率:最高 6.5 MHz |
ABZ 分辨率:每圈 1 至 22 AB 周期 |
EEPROM 存储:校准和配置参数存储在外部 I²C EEPROM |
UVW 周期数:每圈 1 至 32 UVW 周期 |
位置数据更新率:80 MHz |
单圈分辨率:高达 22 位 (ø26 mm) |
封装:32 引脚 optoQFN (5.0 mm × 5.0 mm, 厚度 0.9 mm) |
封装符合标准:RoHS 标准 |
接口电压兼容性:2.5 V, 3.3 V, 5.0 V |
接口类型:BiSS (20 MHz), SSI (10 MHz), SPI (12 MHz), I²C (400 kHz) |
接口配置引脚:CFG1, CFG2, CFG0 |
操作温度范围:-40 至 +125℃ |
数字 I/O 接口:CMOS I/O |
正余弦模拟信号范围:VDDA/2 ± 250 mV, VDDA/2 ± 1000 mV |
温度检测:支持温度检测和监控 |
电源电压:VDDA: 4.5 至 5.5 V, VDDIO: 2.25 至 5.5 V |
电源电流:典型值 35 mA |
直线分辨率:最高 12.5 nm (iC-PZ205) |
绝对精度:± 1 LSB @ 18 位 (ø26 mm) |
自动校准功能:支持正余弦偏移、增益、相位和偏心度校准 |
主码道到游标码道距离:3.6 mm (iC-MU, iC-MU150), 4.0 mm (iC-MU200) |
分辨率:12 位正弦/数字转换(滤波后 14 位) |
多圈接口:18 位串行多圈接口 |
封装类型:QFN48-7x7, DFN16-5x5 |
工作温度范围:-40°C 至 +115°C |
工作频率:最高 7 kHz |
换向信号:U/V/W 用于 1 至 16 对磁极电机 |
最大旋转速度:24,000 RPM @ 16 对磁极 |
最大测量范围:16、32 或 64 对磁极 |
最大线性速度:16 m/s |
电源电压:+4.5 V至 +5.5 V |
磁场强度范围:15 到 100 kA/m |
磁极间距:1.28 mm (iC-MU), 1.50 mm (iC-MU150), 2.00 mm (iC-MU200) |
绝对位置计算精度:18 位(滤波后),5 角秒 |
输出接口:BiSS C, SSI, SPI, A/B/Z, U/V/W, 正余弦信号 |
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