HNP30系列传感器，中心传感单元采用全球领先的高精度硅压力传感器技术与封装工艺，单晶硅压力传感器位于金属本体最顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离；玻璃烧结一体的传感器引线实现了与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力。受温度影响变化极小，最优可控制在±0.04%/10K。在电路设计上采用以微处理器为核心并辅助以先进的数字隔离技术的模块化设计，使仪表具有极高的抗干扰性及稳定性。使用Hart协议进行通讯，可以通过Hart手操器或安装Hart软件的电脑进行远程操作，完成测量信息组态，同时采用数字化补偿技术，并通过内置温度传感器对变送器进行补偿，提高了测量精度，降低了温度漂移，具有长期稳定性好，可靠性高等特点。最具人性化设计的外部一键清零功能，满足危险场合安全操作要求，快捷菜单方便进行操作，并可完成全部参 数设置，全面提升变送器的性能

HNP30系列传感器，中心传感单元采用全球领先的高精度硅压力传感器技术与封装工艺，单晶硅压力传感器位于金属本体最顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离；玻璃烧结一体的传感器引线实现了与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力。受温度影响变化极小，最优可控制在±0.04%/10K。在电路设计上采用以微处理器为核心并辅助以先进的数字隔离技术的模块化设计，使仪表具有极高的抗干扰性及稳定性。使用Hart协议进行通讯，可以通过Hart手操器或安装Hart软件的电脑进行远程操作，完成测量信息组态，同时采用数字化补偿技术，并通过内置温度传感器对变送器进行补偿，提高了测量精度，降低了温度漂移，具有长期稳定性好，可靠性高等特点。最具人性化设计的外部一键清零功能，满足危险场合安全操作要求，快捷菜单方便进行操作，并可完成全部参数设置，全面提升变送器的性能。

采用不锈钢膜片制成，主要应用于有限空间的节省空间设计，融合了当今电子压力测量领域所有可利用的最新技术。

采用高精度、高稳定性MEMS芯片，结合马氏体沉淀硬化不锈钢测量膜片，沿用世界前沿变送器制造工艺，测量膜片与过程接口用精密机床一体加工成型。测试机构测试通过，满量程压力循环次数大于1000万次。

HNP30系列传感器，中心传感单元采用全球领先的高精度硅压力传感器技术与封装工艺，单晶硅压力传感器位于金属本体最顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离；玻璃烧结一体的传感器引线实现了与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力。受温度影响变化极小，最优可控制在±0.04%/10K。在电路设计上采用以微处理器为核心并辅助以先进的数字隔离技术的模块化设计，使仪表具有极高的抗干扰性及稳定性。使用Hart协议进行通讯，可以通过Hart手操器或安装Hart软件的电脑进行远程操作，完成测量信息组态，同时采用数字化补偿技术，并通过内置温度传感器对变送器进行补偿，提高了测量精度，降低了温度漂移，具有长期稳定性好，可靠性高等特点。最具人性化设计的外部一键清零功能，满足危险场合安全操作要求，快捷菜单方便进行操作，并可完成全部参数设置，全面提升变送器的性能。

采用高性能电子元器件为基础，以高精度压力敏感元器件为压力测量元件，采用先进的数字电路把压力敏感元件感应的压力信号转换成电流信号及开关信号，准确度高、响应快、性能稳定、体积小、易操作、安装方便灵活。