保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
光束直径:约φ50μm |
光源类型:红色半导体激光2类 |
发光波长:655nm |
外壳材质:本体外壳:铝铸件 / 前面盖板:丙烯基 |
最大输出功率:1mW |
测量中心距离:30mm |
测量范围:±5mm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时) / 60mA以下(12V DC时) |
温度特性:0.03%F.S./℃ |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
环境温度:-10~+50℃ |
电源电压:12-24VDC±10%,浮动P-P 10%以下 |
直线性:±0.1%F.S |
输出动作模式:入光时ON/非入光时ON可切换 |
输出类型:NPN+模拟量输出 |
重复精度:10μm |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
光束直径:约φ50um |
光源类型:红色半导体激光2类 |
发光波长:655nm |
外壳材质:本体外壳:铝铸件,前面盖板:丙烯基 |
最大输出功率:1mW |
测量范围:±35mm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时), 60mA以下(12V DC时) |
温度特性:0.03%F.S./℃ |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
环境温度范围:-10~+50℃ |
电源电压:12-24VDC±10% |
直线性:±0.1%F.S |
输出动作模式:入光时ON/非入光时ON可切换 |
输出类型:NPN输出 |
重复精度:100um |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
光束直径:约φ50um |
光源类型:红色半导体激光2类 |
发光波长:655nm |
外壳材质:本体外壳:铝铸件 / 前面盖板:丙烯基 |
最大输出功率:1mW |
测量中心距离:100mm |
测量范围:±35mm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时) / 60mA以下(12V DC时) |
温度特性:0.03%F.S./℃ |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
环境温度:-10~+50℃ |
电源电压:12-24VDC±10% |
直线性:±0.1%F.S |
输出类型:NPN输出 |
重复精度:100um |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
光束直径:约φ50μm |
光源类型:红色半导体激光2类 |
发光波长:655nm |
外壳材质:本体外壳:铝铸件, 前面盖板:丙烯基 |
最大输出功率:1mW |
测量中心距离:400mm |
测量范围:±200mm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时), 60mA以下(12V DC时) |
温度特性:0.03%F.S./℃ |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
环境温度:-10~+50℃ |
电源电压:12-24VDC±10%,浮动P-P 10%以下 |
直线性:±0.2%F.S |
输出动作模式:入光时ON/非入光时ON可切换 |
输出类型:NPN输出 |
重复精度:400μm(测量距离200~400mm), 800μm(测量距离400~600mm) |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
光束直径:约φ50μm |
光源类型:红色半导体激光2类 |
发光波长:655nm |
外壳材质:本体外壳:铝铸件, 前面盖板:丙烯基 |
最大输出功率:1mW |
测量中心距离:400mm |
测量范围:±200mm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时), 60mA以下(12V DC时) |
温度特性:0.03%F.S./℃ |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
环境温度:-10~+50℃ |
电源电压:12-24VDC±10% |
直线性:±0.2%F.S |
输出类型:NPN+模拟量输出 |
重复精度:400μm(200~400mm), 800μm(400~600mm) |
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