测量范围:±5mm |
工作温度:-10~+50℃ |
光束宽度:约φ50μm |
光源:红色半导体激光2类 |
最大输出电流:1mW |
测量中心距离:30mm |
输出类型:NPN+模拟量输出 |
重复性:10μm |
温度系数:0.03%F.S./℃ |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
发光波长:655nm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时) / 60mA以下(12V DC时) |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
直线性:±0.1%F.S |
输出动作模式:入光时ON/非入光时ON可切换 |
测量范围:±35mm |
工作温度:-10~+50℃ |
光束宽度:约φ50um |
光源:红色半导体激光2类 |
最大输出电流:1mW |
输出类型:NPN输出 |
温度系数:0.03%F.S./℃ |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
发光波长:655nm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时), 60mA以下(12V DC时) |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
直线性:±0.1%F.S |
输出动作模式:入光时ON/非入光时ON可切换 |
测量范围:±35mm |
工作温度:-10~+50℃ |
光束宽度:约φ50um |
光源:红色半导体激光2类 |
最大输出电流:1mW |
测量中心距离:100mm |
输出类型:NPN输出 |
重复性:100um |
温度系数:0.03%F.S./℃ |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
发光波长:655nm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时) / 60mA以下(12V DC时) |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
直线性:±0.1%F.S |
测量范围:±200mm |
工作温度:-10~+50℃ |
光束宽度:约φ50μm |
光源:红色半导体激光2类 |
最大输出电流:1mW |
测量中心距离:400mm |
输出类型:NPN输出 |
温度系数:0.03%F.S./℃ |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
发光波长:655nm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时), 60mA以下(12V DC时) |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
直线性:±0.2%F.S |
输出动作模式:入光时ON/非入光时ON可切换 |
测量范围:±200mm |
工作温度:-10~+50℃ |
光束宽度:约φ50μm |
光源:红色半导体激光2类 |
最大输出电流:1mW |
测量中心距离:400mm |
输出类型:NPN+模拟量输出 |
重复性:400μm(200~400mm), 800μm(400~600mm) |
温度系数:0.03%F.S./℃ |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
发光波长:655nm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时), 60mA以下(12V DC时) |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
直线性:±0.2%F.S |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
光源波长:655nm |
外壳材质:铝铸件/丙烯基前面盖板 |
最大输出光功率:1mW |
测量中心距离:400mm |
测量范围:±200mm |
消耗电流:40mA以下(24VDC时) / 60mA以下(12VDC时) |
温度特性:0.03%F.S./℃ |
环境亮度耐受:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
环境温度:-10~+50℃ |
电源电压:12-24VDC±10% |
直线性:±0.2%F.S |
输出动作:入光时ON/非入光时ON可切换 |
输出类型:NPN+485通讯输出 |
重复精度:400μm(测量距离200~400mm) / 800μm(测量距离400~600mm) |
保护电路:电源极性反接保护,输出短路或过载保护 |
出光光源:红色半导体激光2类,最大输出1mW,波长655nm |
外壳材质:铝铸件本体外壳,丙烯基前面盖板 |
测量中心距离:100mm |
测量范围:±35mm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时)/ 60mA以下(12V DC时) |
温度特性:0.03%F.S./℃ |
环境亮度:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
环境温度:-10-+50℃ |
电源电压:12-24VDC±10%,浮动P-P 10%以下 |
直线性:±0.1%F.S |
输出动作:入光时ON/非入光时ON可切换 |
输出类型:NPN+485通讯输出 |
重复精度:100um |
保护等级:IP67 |
出光光源:红色半导体激光 (655nm, 1mW) |
分辨率:10μm |
响应时间:快速模式: max. 5ms / 标准模式: max. 12.5ms / 高时模式: max. 36.5ms |
外壳材质:PBT |
测量中心距离:85mm |
测量范围:40mm |
消耗电流:≤40mA (24VDC时) |
温度漂移特性:±0.08% F.S./°C |
环境温度:-10~+45℃ |
电源电压:12-24VDC |
直线精度:±0.1% F.S. |
输出类型:NPN+485 |
采样周期:500/1000/1500/2000ns |
镜头材质:PMMA |
预热时间:max. 15分钟 |
保护电路:反向连接保护,过电流保护 |
出光光源:红色半导体激光,最大输出:1mW,波长:655nm |
分辨率:75um |
响应时间:快速模式:max. 7.5ms;标准模式:max. 18ms;高时模式:max. 54ms |
外壳材质:外壳:PBT,镜头:PMMA |
测量中心距离:250mm |
测量范围:300mm |
消耗电流:40mA以下(24V DC时)/ 60mA以下(12V DC时) |
温度漂移特性:±0.08% F.S./°C |
环境亮度耐受:白炽灯:受光面照明度3000lx以下 |
环境温度:-10~+45℃ |
电源电压:12-24VDC±10% |
直线精度:±0.3% F.S. |
输出类型:NPN输出 |
采样周期:500/1000/1500/2000ns |
防护等级:IP67 |
预热时间:max. 15分钟 |
保护等级:IP67 |
出光光源:红色半导体激光 (最大输出: 1mW, 波长: 655nm) |
分辨率:75um |
响应时间:快速模式: max. 7.5ms / 标准模式: max. 18ms / 高时模式: max. 54ms |
型号:BLG-250N-485 |
外壳材质:PBT |
测量中心距离:250mm |
测量范围:300mm |
消耗电流:40mA以下(24VDC时) / 60mA以下(12VDC时) |
温度漂移特性:±0.08% F.S./°C |
环境温度:-10~+45℃ |
电源电压:12-24VDC±10% |
直线精度:±0.3% F.S. |
输出类型:NPN+485 |
采样周期:500/1000/1500/2000ns |
镜头材质:PMMA |
预热时间:max. 15分钟 |
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