产品尺寸:8.7 mm × 4.5 mm × 5.8 mm |
功率耗散:100 mW |
单位重量:704.092 mg |
响应时间:10 μs |
封装类型:Through Hole |
工作温度范围:-25 °C ~ +85 °C |
感应距离:3.5 mm |
最大集电极电流:30 mA |
正向电压:1.3 V |
正向电流:50 mA |
波长:800 nm |
输出类型:Phototransistor |
通道数量:1 Channel |
集电极-发射极最大电压:30 V |
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