ams-OSRAM 艾迈斯欧司朗
照明与传感创新的全球领导者奥地利 ams-OSRAM AG (艾迈斯欧司朗) 致力于开拓创新,打造独具一格的照明与传感解决方案。我们积淀百余载行业经验,融合卓越工程技术与全球制造实力,将热情注入前沿创新。我们在光源、可视化和传感技术领域不断突破,赢得了全球客户的信赖。我们与客户携手共进,创造颠覆性应用,让世界更安全、更智能,更可持续。“感未来,光无限”——我们深刻洞悉光之无限潜能,引领未来创新。我们驾驭可见光与不可见光,点亮世界,予人洞见。我们为光赋予智能,助力客户续写创新应用新篇章。我们凭借独树一帜的尖端照明与传感技术组合,以出众的实力引领行业发展。在我们丰富多样的产品组合中,既有高质量的半导体光发射器、传感器、CMOS IC和配套软件,也有一系列面向汽车和特殊应用的传统照明技术。我们在全球拥有约20,000名员工,所有人齐心协力投入创新,紧跟数字化、智能生活、节能和可持续发展等社会大趋势。我们的照明与传感技术在汽车、工业、医疗健康和消费电子市场树立了行业标杆,目前在全球共有约14,000项已授予和已申请专利。集团总部位于奥地利Premstaetten/格拉茨和德国慕尼黑,2023年集团收入为36亿欧元。我们的愿景和使命我们的愿景启迪照明与传感创新。我们的使命引领传感照明科技,以备受信赖的创新制造能力共创智慧和谐世界。 公司理念感未来,光无限历史历经110多年发展,我们仍在积极探索如何利用技术实现创想。我们满怀热忱,创新步履不停。凭借系统专业知识和对光学解决方案的深厚了解,我们通过先进的产品和前卫的设计把握未来发展机遇。主要产品LED白光LED,彩色LED,UV-C LEDs,红外LED,多色LED,LED模组,LED配件驱动器LED 驱动器激光器彩色激光器(EEL),彩色激光器 (VCSEL),红外激光器(EEL),红外激光器(VCSEL)光电探测器光电二极管,光电晶体管多芯片组合光学模组传感器环境光、颜色、光谱和接近传感器,dToF传感器,CMOS图像传感器,X射线传感器,位置传感器,电容传感器,温度传感器,主动降噪,电池管理,模拟前端接口传感器接口ASICS全方位晶圆代工服务灯具汽车,娱乐与工业应用光源应用板、套件和相关附件应用领域汽车与出行前向灯,动态前向灯,信号灯,动态信号灯,功能性照明,氛围照明,屏显背光,投影,智能表面,环境光传感,舱内传感,ADAS/AD,雨量、阳光和隧道传感,位置和角度传感,电池管理系统,汽车后市场工业机器人,家居和楼宇自动化,工厂/工业自动化,材料加工,投影和显示,工业CT机和安检机,电器和工具,门禁和安全,UV-C消毒和处理医疗与健康医疗影像,数字医疗设备,医疗照明系统移动和可穿戴设备显示管理,增强现实眼镜的可视化,身份验证,摄像增强,3D传感,人体追踪,生命体征监测照明农业和植物照明,户外和工业照明,室内照明,娱乐照明计算创新光子计数,IR LED IR:6,LED-on-foil 技术,3D深度传感技术,开放系统协议 中国业务欧司朗光电半导体(中国)有限公司
  • ams OSRAM SFH 314 FA-2/3 Phototransistors

    ESD抗静电能力:2 kV
    上升时间:18 μs
    下降时间:20 μs
    功率 - 最大值:200 mW
    响应波长范围:740 ... 1060 nm
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向 - 2 引线
    封装形式:径向 - 2 引线
    峰值波长:870 nm
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    敏感面积:0.55 mm²
    方向:顶视图
    暗电流(最大值):200 nA
    最大功率:200 mW
    波长:870nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):70 V
    电容:10 pF
    电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    芯片尺寸:1×1 mm
    视角:80°
    集射极击穿电压(最大值):70 V
    集电极-发射极饱和电压:150 mV
    集电极电流(最大值):50 mA
  • ams OSRAM SFH 3716 Phototransistors

    550 nm 灵敏度温度系数(标准光源A):0.9 % / K
    光谱响应范围:350 ... 950 nm
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:0805(2012 公制)
    峰值响应波长:570 nm
    工作温度:-40°C ~ 100°C
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    敏感面积:0.29 mm²
    方向:顶视图
    暗电流(Vce=5V):3 nA
    暗电流(最大值):3 nA
    波长:570nm
    灵敏度温度系数:0.78 % / K
    电压 - 集射极击穿(最大值):5.5 V
    电容(Vce=0V, f=1MHz):4 pF
    电流 - 暗 (Id)(最大值):3 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    芯片尺寸:0.75 x 0.75 mm
    视角:120°
    集射极击穿电压(最大值):5.5 V
    集电极电流(最大值):20 mA
  • ams OSRAM SFH 310-2/3 Phototransistors

    功率 - 最大值:165 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    方向:顶视图
    暗电流 (Id):50 nA
    最大功率:165 mW
    波长:880 nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):70 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    视角:50°
    集射极击穿电压 (Vceo):70 V
    集电极电流 (Ic):50 mA
  • ams OSRAM SFH 313 FA-2/3 Phototransistors

    功率 - 最大值:200 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向 - 2 引线
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    工作温度范围 (TA):-40°C ~ 100°C
    方向:顶视图
    暗电流 (Id) 最大值:200 nA
    最大功率:200 mW
    波长:870 nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):70 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    视角:20°
    集射极击穿电压 (VCE) 最大值:70 V
    集电极电流 (Ic) 最大值:50 mA
  • ams OSRAM SFH 3710-2/3 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    半角:60°
    单位重量:3.800 mg
    商标:ams OSRAM
    存储温度范围:-40°C ~ 85°C
    封装:Cut Tape
    工作温度范围:-40°C ~ 85°C
    工厂包装数量:3000
    敏感面积:0.29 mm²
    最大ESD承受电压:2 kV
    最大光谱响应范围:350 ... 950 nm
    最大发射极-集电极电压:0.5V
    最大峰值响应波长:570 nm
    最大暗电流:3 nA
    最大温度灵敏度系数:0.9 % / K
    最大电容:4 pF
    最大集电极电流:20 mA
    最大饱和电压:100 mV
    湿度敏感性:Yes
    芯片尺寸:0.75 x 0.75 mm
    集电极-发射极电压:5.5V
    零件号别名:Q65110A3512 SFH 3710-2/3 Q65110A3512
  • ams OSRAM SFH 3605 Phototransistors

    Pd-功率耗散:130 mW
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:20 deg
    单位重量:23 mg
    封装:MIDLED
    尺寸(长×宽×高):3.3 mm × 2.35 mm × 1.7 mm
    峰值波长:990 nm
    工作温度范围:-40 C ~ +100 C
    开启状态集电极最大电流:15 mA
    暗电流:50 nA
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
  • ams OSRAM SFH 309 FA Phototransistors

    功率 - 最大值:165 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向,T-1 透镜
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    方向:顶视图
    波长:900nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):35 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA
    视角:24°
  • ams OSRAM SFH 309-5/6 Phototransistors

    Pd-功率耗散:165 mW
    上升时间:8 us, 9 us
    下降时间:8 us, 9 us
    产品种类:光电晶体管
    半强度角度:12 deg
    单位重量:200 mg
    商标:ams OSRAM
    安装风格:Through Hole
    宽度:4 mm
    封装:Bulk
    封装 / 箱体:T-1
    峰值波长:860 nm
    工厂包装数量:2000
    开启状态集电极最大电流:15 mA
    暗电流:15 mA
    最大工作温度:+ 100 C
    最小工作温度:- 40 C
    波长:860 nm
    类型:Silicon NPN Phototransistor
    资格:AEC-Q101
    透镜颜色/类型:Clear
    长度:4 mm
    集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
    集电极—射极击穿电压:35 V
    集电极—射极饱和电压:200 mV
    零件号别名:Q62702P3594
    高度:5.2 mm
  • ams OSRAM SFH 320 FA Phototransistors

    ESD耐受电压:2 kV
    上升时间:7 μs
    下降时间:7 μs
    产品种类:光电晶体管
    光谱响应范围:750 ... 1120 nm
    半角:60°
    单位重量:35 mg
    商标:ams OSRAM
    存储温度范围:-40°C ~ 100°C
    封装:Cut Tape
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    工厂包装数量:2000
    敏感面积:0.038 mm²
    暗电流:1 nA (典型), 50 nA (最大)
    最大总功耗:165 mW
    最大灵敏度波长:980 nm
    湿度敏感性:Yes
    热阻(结到环境):450 K/W
    电容:5 pF
    芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm
    集电极-发射极电压:35 V
    集电极-发射极饱和电压:150 mV
    集电极浪涌电流:75 mA
    集电极电流:15 mA
  • ams OSRAM SFH 320-3 Phototransistors

    ESD耐压:2 kV
    上升时间:7 μs
    下降时间:7 μs
    产品种类:光电晶体管
    光敏面积:0.038 mm²
    单位重量:35 mg
    商标:ams OSRAM
    存储温度范围:-40°C ~ 100°C
    封装:MouseReel
    峰值响应波长:980 nm
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    工厂包装数量:2000
    暗电流:1 nA
    最大光谱响应范围:450 ... 1150 nm
    最大功耗:165 mW
    湿度敏感性:Yes
    电容:5 pF
    芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm
    集电极-发射极电压:35 V
    集电极-发射极饱和电压:150 mV
    集电极浪涌电流:75 mA
    集电极电流:15 mA
    零件号别名:Q65110A2469 SFH 320-3 Q65110A2469
  • ams OSRAM SFH 320 FA-3/4 Phototransistors

    ESD抗扰度:2 kV
    上升时间:7 μs
    下降时间:7 μs
    产品种类:光电晶体管
    半角:60°
    单位重量:35 mg
    存储温度范围:-40°C ~ 100°C
    封装:MouseReel
    峰值响应波长:980 nm
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    敏感面积:0.038 mm²
    最大总功耗:165 mW
    最大暗电流:50 nA
    最大波长响应范围:750 ... 1120 nm
    热阻(结到环境):450 K/W
    电容:5 pF
    芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm
    集电极-发射极电压:35 V
    集电极-发射极饱和电压:150 mV
    集电极浪涌电流:75 mA
    集电极电流:15 mA
  • ams OSRAM SFH 320-3/4 Phototransistors

    ESD抗静电电压:2 kV
    上升时间:7 μs
    下降时间:7 μs
    产品种类:光电晶体管
    光敏面积:0.038 mm²
    典型光电流:650 μA
    半角:60°
    单位重量:35 mg
    商标:ams OSRAM
    存储温度范围:-40°C ~ 100°C
    封装:MouseReel
    峰值响应波长:980 nm
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    工厂包装数量:2000
    暗电流:1 nA
    最大光谱响应范围:450 ... 1150 nm
    最大功耗:165 mW
    湿度敏感性:Yes
    电容:5 pF
    芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm
    集电极-发射极电压:35 V
    集电极-发射极饱和电压:150 mV
    集电极浪涌电流:75 mA
    集电极电流:15 mA
  • ams OSRAM SFH 325-3/4 Phototransistors

    ESD耐压:2 kV
    上升时间:7 μs
    下降时间:7 μs
    产品种类:光电晶体管
    光敏面积:0.038 mm²
    光电流:650 μA
    光谱响应范围:450 ... 1120 nm
    半角:60°
    单位重量:76 mg
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    峰值回流焊温度:245 ... 250 ℃
    峰值温度保持时间:10 ... 30 s
    工作温度:25℃
    工厂包装数量:2000
    暗电流:1 nA
    最大漏电流:50 nA
    波长最大灵敏度:980 nm
    液相以上时间:80 ... 100 s
    液相温度:217 ℃
    湿度敏感性:Yes
    电容:5 pF
    芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm
    集电极-发射极饱和电压:150 mV
    零件号别名:Q65110A2491 SFH 325-3/4 Q65110A2491
  • ams OSRAM SFH 300-3/4 Phototransistors

    ESD抗扰度(HBM):2 kV
    上升时间:典型值 14000 μs
    供电电压范围:1.45 V ~ 5.5 V
    供电电流范围:0.01 μA ~ 10000 μA
    光谱灵敏度:典型值 1000 nA/lx
    典型输出电流(100 Ix):135 μA
    功率 - 最大值:200 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
    工作模式:模拟输出,线性响应
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    方向:顶视图
    暗电流抑制:集成
    暗电流(最大值):50 nA
    最大功率:200 mW
    最大照度范围:0.01 Ix ~ 10000 Ix
    波长:880 nm
    热补偿:集成
    电压 - 集射极击穿(最大值):35 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    视角:50°
    输出暗电流(最大值):50 nA
    集射极击穿电压(最大值):35 V
    集电极电流(最大值):50 mA
  • ams OSRAM SFH 320 FA-4 Phototransistors

    产品种类:光电晶体管
    光谱响应范围:450 nm 至 705 nm
    光谱灵敏度:1000 nA/lx
    典型暗电流:3.4 nA
    典型输出电流(100 lx):135 μA
    半角:60°
    单位重量:35 mg
    响应时间(上升时间):14000 μs
    商标:ams OSRAM
    封装:MouseReel
    工作电压范围:1.45 V 至 5.5 V
    工作电流温度系数:-0.07% / K
    工厂包装数量:2000
    暗电流最大值:50 nA
    最大ESD耐受电压(CDM):400 V
    最大ESD耐受电压(HBM):2 kV
    最大供电电压:6 V
    最大供电电流:15 mA
    最大存储温度:-40°C 至 100°C
    最大工作温度:-40°C 至 100°C
    最大正向电压:0.56 V
    最大正向电流:0.5 mA
    最大灵敏度波长:600 nm
    湿度敏感性:Yes
    输出阻抗:10 MΩ
    零件号别名:Q65110A1836 SFH 320 FA-4 Q65110A1836
  • ams OSRAM SFH 310 FA-2/3 Phototransistors

    ESD抗扰度 (HBM):2 kV
    上升时间:14000 μs
    光谱灵敏度:1000 nA/lx
    典型输出电流 (100 lx):135 μA
    功率 - 最大值:165 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
    封装类型:径向
    峰值波长:880nm
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    工作电压范围:1.45V ~ 5.5V
    工作电流温度系数:-0.07% / K
    方向:顶视图
    暗电流 (Id):50 nA
    最大供电电压:6 V
    最大供电电流:15 mA
    最大功率:165 mW
    最大暗输出电流:50 nA
    最大集电极电流 (Ic):50 mA
    波长:880nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):70 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA
    视角:50°
    输出阻抗:10 MΩ
    集射极击穿电压 (Vceo):70 V
  • ams OSRAM SFH 309-4 Phototransistors

    ESD 耐受电压(HBM):2 kV
    上升时间(典型值):14000 μs
    供电电压范围:1.45V ~ 5.5V
    供电电流(典型值):135 μA
    光谱响应范围:450 ... 705 nm
    光谱灵敏度:典型值 1000 nA/lx
    功率 - 最大值:165 mW
    存储温度范围:-40°C ~ 100°C
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向,T-1 透镜
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    工作电流温度系数(典型值):-0.07% / K
    方向:顶视图
    最大灵敏度波长:600 nm
    波长:860nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):35 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA
    视角:24°
    输出暗电流(典型值):3.4 nA
    输出暗电流(最大值):50 nA
    输出阻抗(典型值):10 MΩ
  • ams OSRAM SFH 325 Phototransistors

    上升时间:14000 μs
    产品种类:光电晶体管
    光谱响应范围:450 ... 705 nm
    光谱灵敏度:1000 nA/lx
    典型暗电流:3.4 nA
    半角:60°
    单位重量:76 mg
    商标:ams OSRAM
    存储温度范围:-40°C 至 100°C
    封装:MouseReel
    工作温度范围:-40°C 至 100°C
    工作电流温度系数:-0.07% / K
    工厂包装数量:2000
    最大供电电压:6 V
    最大供电电流:15 mA
    最大供电电流(100 lx):135 μA
    最大暗电流:50 nA
    最大正向电压:0.56 V
    最大正向电流:0.5 mA
    最大灵敏度波长:600 nm
    最大输出阻抗:10 MΩ
    最大静电放电(ESD)承受电压(CDM):400 V
    最大静电放电(ESD)承受电压(HBM):2 kV
    有效芯片尺寸:0.33 x 0.33 mm
    湿度敏感性:Yes
    零件号别名:Q65110A2486 SFH 325 Q65110A2486
  • ams OSRAM SFH 3605-3/4 Phototransistors

    ESD抗静电电压:2kV
    上升时间:7μs
    下降时间:7μs
    产品种类:光电晶体管
    光敏面积:0.04mm²
    光谱响应范围:500nm ~ 1100nm
    半角:13°
    发射极-集电极电压 (VEC):7V
    商标:ams OSRAM
    存储温度范围:-100°C ~ 100°C
    封装:MouseReel
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    工厂包装数量:2000
    暗电流:1nA (max 50nA)
    最大灵敏度波长:990nm
    湿度敏感性:Yes
    电容:1.3pF
    芯片尺寸:0.35mm × 0.35mm
    资格认证:AEC-Q101
    集电极-发射极电压 (VCE):35V
    集电极-发射极饱和电压:150mV
    集电极浪涌电流 (Ics):75mA
    集电极电流 (Ic):15mA
  • ams OSRAM SFH 309 FA-5 Phototransistors

    ESD耐压(HBM):2 kV
    上升时间:14000 μs
    光谱灵敏度范围:450 ... 705 nm
    典型光谱灵敏度:1000 nA/lx
    功率 - 最大值:165 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向,T-1 透镜
    封装类型:通孔
    工作温度:-40°C ~ 100°C(TA)
    工作温度范围:-40°C ~ 100°C
    方向:顶视图
    暗电流(最大值):50 nA
    最大供电电压:5.5V
    最大供电电流:15 mA
    最大灵敏度波长:600 nm
    最大集射极击穿电压:35 V
    最大集电极电流:15 mA
    最小供电电压:1.45V
    波长:900nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):35 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA
    视角:60°
    输出阻抗:10 MΩ
  • ams OSRAM SFH 325 FA-4 Phototransistors

    ESD抗扰度(CDM):400 V
    ESD抗扰度(HBM):2 kV
    产品种类:光电晶体管
    供电电压范围:1.45V 至 5.5V
    光谱响应范围:450 ... 705 nm
    光谱灵敏度:1000 nA/lx
    典型暗电流:3.4 nA
    典型输出电流(100 lx):135 μA
    半角:60°
    单位重量:76 mg
    响应时间:14000 μs
    商标:ams OSRAM
    存储温度范围:-40°C 至 100°C
    封装:MouseReel
    工作温度范围:-40°C 至 100°C
    工作电流温度系数:-0.07% / K
    工厂包装数量:2000
    最大供电电压:6V
    最大供电电流:15 mA
    最大暗电流:50 nA
    最大正向电压:0.56V
    最大正向电流:0.5 mA
    最大灵敏度波长:600 nm
    湿度敏感性:Yes
    输出阻抗:10 MΩ
    零件号别名:Q65110A2485 SFH 325 FA-4 Q65110A2485
  • ams OSRAM SFH 3219 Phototransistors

    ESD耐压(CDM):400 V
    ESD耐压(HBM):2 kV
    上升时间典型值:14000 μs
    产品种类:光电晶体管
    光谱灵敏度典型值:1000 nA/lx
    光谱灵敏度范围:450 ... 705 nm
    典型供电电压:5 V
    典型输出电流(100 lx):135 μA
    单位重量:37 mg
    商标:ams OSRAM
    存储温度范围:-40°C 至 100°C
    封装:MouseReel
    工作温度范围:-40°C 至 100°C
    工作电流温度系数:-0.07% / K
    工厂包装数量:2000
    暗电流典型值:3.4 nA
    暗电流最大值:50 nA
    最大供电电压:6 V
    最大供电电流:15 mA
    最大灵敏度波长:600 nm
    湿度敏感性:Yes
    输出阻抗典型值:10 MΩ
  • ams OSRAM BP 103 Phototransistors

    功率 - 最大值:150 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
    方向:顶视图
    暗电流最大值:1 nA
    最大功率:150 mW
    波长:850 nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):35 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):1 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
    视角:110°
    集射极击穿电压最大值:35 V
    集电极电流最大值:100 mA

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