ESD抗静电能力:2 kV |
上升时间:18 μs |
下降时间:20 μs |
功率 - 最大值:200 mW |
响应波长范围:740 ... 1060 nm |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 - 2 引线 |
封装形式:径向 - 2 引线 |
峰值波长:870 nm |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
敏感面积:0.55 mm² |
方向:顶视图 |
暗电流(最大值):200 nA |
最大功率:200 mW |
波长:870nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):70 V |
电容:10 pF |
电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA |
芯片尺寸:1×1 mm |
视角:80° |
集射极击穿电压(最大值):70 V |
集电极-发射极饱和电压:150 mV |
集电极电流(最大值):50 mA |
550 nm 灵敏度温度系数(标准光源A):0.9 % / K |
光谱响应范围:350 ... 950 nm |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:0805(2012 公制) |
峰值响应波长:570 nm |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
敏感面积:0.29 mm² |
方向:顶视图 |
暗电流(Vce=5V):3 nA |
暗电流(最大值):3 nA |
波长:570nm |
灵敏度温度系数:0.78 % / K |
电压 - 集射极击穿(最大值):5.5 V |
电容(Vce=0V, f=1MHz):4 pF |
电流 - 暗 (Id)(最大值):3 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
芯片尺寸:0.75 x 0.75 mm |
视角:120° |
集射极击穿电压(最大值):5.5 V |
集电极电流(最大值):20 mA |
功率 - 最大值:165 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
方向:顶视图 |
暗电流 (Id):50 nA |
最大功率:165 mW |
波长:880 nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):70 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA |
视角:50° |
集射极击穿电压 (Vceo):70 V |
集电极电流 (Ic):50 mA |
功率 - 最大值:200 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 - 2 引线 |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围 (TA):-40°C ~ 100°C |
方向:顶视图 |
暗电流 (Id) 最大值:200 nA |
最大功率:200 mW |
波长:870 nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):70 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA |
视角:20° |
集射极击穿电压 (VCE) 最大值:70 V |
集电极电流 (Ic) 最大值:50 mA |
产品种类:光电晶体管 |
半角:60° |
单位重量:3.800 mg |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C ~ 85°C |
封装:Cut Tape |
工作温度范围:-40°C ~ 85°C |
工厂包装数量:3000 |
敏感面积:0.29 mm² |
最大ESD承受电压:2 kV |
最大光谱响应范围:350 ... 950 nm |
最大发射极-集电极电压:0.5V |
最大峰值响应波长:570 nm |
最大暗电流:3 nA |
最大温度灵敏度系数:0.9 % / K |
最大电容:4 pF |
最大集电极电流:20 mA |
最大饱和电压:100 mV |
湿度敏感性:Yes |
芯片尺寸:0.75 x 0.75 mm |
集电极-发射极电压:5.5V |
零件号别名:Q65110A3512 SFH 3710-2/3 Q65110A3512 |
Pd-功率耗散:130 mW |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:20 deg |
单位重量:23 mg |
封装:MIDLED |
尺寸(长×宽×高):3.3 mm × 2.35 mm × 1.7 mm |
峰值波长:990 nm |
工作温度范围:-40 C ~ +100 C |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
暗电流:50 nA |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
功率 - 最大值:165 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向,T-1 透镜 |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
方向:顶视图 |
波长:900nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA |
视角:24° |
Pd-功率耗散:165 mW |
上升时间:8 us, 9 us |
下降时间:8 us, 9 us |
产品种类:光电晶体管 |
半强度角度:12 deg |
单位重量:200 mg |
商标:ams OSRAM |
安装风格:Through Hole |
宽度:4 mm |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:860 nm |
工厂包装数量:2000 |
开启状态集电极最大电流:15 mA |
暗电流:15 mA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
波长:860 nm |
类型:Silicon NPN Phototransistor |
资格:AEC-Q101 |
透镜颜色/类型:Clear |
长度:4 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V |
集电极—射极击穿电压:35 V |
集电极—射极饱和电压:200 mV |
零件号别名:Q62702P3594 |
高度:5.2 mm |
ESD耐受电压:2 kV |
上升时间:7 μs |
下降时间:7 μs |
产品种类:光电晶体管 |
光谱响应范围:750 ... 1120 nm |
半角:60° |
单位重量:35 mg |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C ~ 100°C |
封装:Cut Tape |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工厂包装数量:2000 |
敏感面积:0.038 mm² |
暗电流:1 nA (典型), 50 nA (最大) |
最大总功耗:165 mW |
最大灵敏度波长:980 nm |
湿度敏感性:Yes |
热阻(结到环境):450 K/W |
电容:5 pF |
芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm |
集电极-发射极电压:35 V |
集电极-发射极饱和电压:150 mV |
集电极浪涌电流:75 mA |
集电极电流:15 mA |
ESD耐压:2 kV |
上升时间:7 μs |
下降时间:7 μs |
产品种类:光电晶体管 |
光敏面积:0.038 mm² |
单位重量:35 mg |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C ~ 100°C |
封装:MouseReel |
峰值响应波长:980 nm |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1 nA |
最大光谱响应范围:450 ... 1150 nm |
最大功耗:165 mW |
湿度敏感性:Yes |
电容:5 pF |
芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm |
集电极-发射极电压:35 V |
集电极-发射极饱和电压:150 mV |
集电极浪涌电流:75 mA |
集电极电流:15 mA |
零件号别名:Q65110A2469 SFH 320-3 Q65110A2469 |
ESD抗扰度:2 kV |
上升时间:7 μs |
下降时间:7 μs |
产品种类:光电晶体管 |
半角:60° |
单位重量:35 mg |
存储温度范围:-40°C ~ 100°C |
封装:MouseReel |
峰值响应波长:980 nm |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
敏感面积:0.038 mm² |
最大总功耗:165 mW |
最大暗电流:50 nA |
最大波长响应范围:750 ... 1120 nm |
热阻(结到环境):450 K/W |
电容:5 pF |
芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm |
集电极-发射极电压:35 V |
集电极-发射极饱和电压:150 mV |
集电极浪涌电流:75 mA |
集电极电流:15 mA |
ESD抗静电电压:2 kV |
上升时间:7 μs |
下降时间:7 μs |
产品种类:光电晶体管 |
光敏面积:0.038 mm² |
典型光电流:650 μA |
半角:60° |
单位重量:35 mg |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C ~ 100°C |
封装:MouseReel |
峰值响应波长:980 nm |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1 nA |
最大光谱响应范围:450 ... 1150 nm |
最大功耗:165 mW |
湿度敏感性:Yes |
电容:5 pF |
芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm |
集电极-发射极电压:35 V |
集电极-发射极饱和电压:150 mV |
集电极浪涌电流:75 mA |
集电极电流:15 mA |
ESD耐压:2 kV |
上升时间:7 μs |
下降时间:7 μs |
产品种类:光电晶体管 |
光敏面积:0.038 mm² |
光电流:650 μA |
光谱响应范围:450 ... 1120 nm |
半角:60° |
单位重量:76 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
峰值回流焊温度:245 ... 250 ℃ |
峰值温度保持时间:10 ... 30 s |
工作温度:25℃ |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1 nA |
最大漏电流:50 nA |
波长最大灵敏度:980 nm |
液相以上时间:80 ... 100 s |
液相温度:217 ℃ |
湿度敏感性:Yes |
电容:5 pF |
芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm |
集电极-发射极饱和电压:150 mV |
零件号别名:Q65110A2491 SFH 325-3/4 Q65110A2491 |
ESD抗扰度(HBM):2 kV |
上升时间:典型值 14000 μs |
供电电压范围:1.45 V ~ 5.5 V |
供电电流范围:0.01 μA ~ 10000 μA |
光谱灵敏度:典型值 1000 nA/lx |
典型输出电流(100 Ix):135 μA |
功率 - 最大值:200 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 |
工作模式:模拟输出,线性响应 |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
方向:顶视图 |
暗电流抑制:集成 |
暗电流(最大值):50 nA |
最大功率:200 mW |
最大照度范围:0.01 Ix ~ 10000 Ix |
波长:880 nm |
热补偿:集成 |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA |
视角:50° |
输出暗电流(最大值):50 nA |
集射极击穿电压(最大值):35 V |
集电极电流(最大值):50 mA |
产品种类:光电晶体管 |
光谱响应范围:450 nm 至 705 nm |
光谱灵敏度:1000 nA/lx |
典型暗电流:3.4 nA |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
半角:60° |
单位重量:35 mg |
响应时间(上升时间):14000 μs |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工作电压范围:1.45 V 至 5.5 V |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
工厂包装数量:2000 |
暗电流最大值:50 nA |
最大ESD耐受电压(CDM):400 V |
最大ESD耐受电压(HBM):2 kV |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大存储温度:-40°C 至 100°C |
最大工作温度:-40°C 至 100°C |
最大正向电压:0.56 V |
最大正向电流:0.5 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
湿度敏感性:Yes |
输出阻抗:10 MΩ |
零件号别名:Q65110A1836 SFH 320 FA-4 Q65110A1836 |
ESD抗扰度 (HBM):2 kV |
上升时间:14000 μs |
光谱灵敏度:1000 nA/lx |
典型输出电流 (100 lx):135 μA |
功率 - 最大值:165 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 |
封装类型:径向 |
峰值波长:880nm |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工作电压范围:1.45V ~ 5.5V |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
方向:顶视图 |
暗电流 (Id):50 nA |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大功率:165 mW |
最大暗输出电流:50 nA |
最大集电极电流 (Ic):50 mA |
波长:880nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):70 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):50 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA |
视角:50° |
输出阻抗:10 MΩ |
集射极击穿电压 (Vceo):70 V |
ESD 耐受电压(HBM):2 kV |
上升时间(典型值):14000 μs |
供电电压范围:1.45V ~ 5.5V |
供电电流(典型值):135 μA |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:典型值 1000 nA/lx |
功率 - 最大值:165 mW |
存储温度范围:-40°C ~ 100°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向,T-1 透镜 |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工作电流温度系数(典型值):-0.07% / K |
方向:顶视图 |
最大灵敏度波长:600 nm |
波长:860nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA |
视角:24° |
输出暗电流(典型值):3.4 nA |
输出暗电流(最大值):50 nA |
输出阻抗(典型值):10 MΩ |
上升时间:14000 μs |
产品种类:光电晶体管 |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:1000 nA/lx |
典型暗电流:3.4 nA |
半角:60° |
单位重量:76 mg |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C 至 100°C |
封装:MouseReel |
工作温度范围:-40°C 至 100°C |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
工厂包装数量:2000 |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大供电电流(100 lx):135 μA |
最大暗电流:50 nA |
最大正向电压:0.56 V |
最大正向电流:0.5 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
最大输出阻抗:10 MΩ |
最大静电放电(ESD)承受电压(CDM):400 V |
最大静电放电(ESD)承受电压(HBM):2 kV |
有效芯片尺寸:0.33 x 0.33 mm |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65110A2486 SFH 325 Q65110A2486 |
ESD抗静电电压:2kV |
上升时间:7μs |
下降时间:7μs |
产品种类:光电晶体管 |
光敏面积:0.04mm² |
光谱响应范围:500nm ~ 1100nm |
半角:13° |
发射极-集电极电压 (VEC):7V |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-100°C ~ 100°C |
封装:MouseReel |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:1nA (max 50nA) |
最大灵敏度波长:990nm |
湿度敏感性:Yes |
电容:1.3pF |
芯片尺寸:0.35mm × 0.35mm |
资格认证:AEC-Q101 |
集电极-发射极电压 (VCE):35V |
集电极-发射极饱和电压:150mV |
集电极浪涌电流 (Ics):75mA |
集电极电流 (Ic):15mA |
ESD耐压(HBM):2 kV |
上升时间:14000 μs |
光谱灵敏度范围:450 ... 705 nm |
典型光谱灵敏度:1000 nA/lx |
功率 - 最大值:165 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向,T-1 透镜 |
封装类型:通孔 |
工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
方向:顶视图 |
暗电流(最大值):50 nA |
最大供电电压:5.5V |
最大供电电流:15 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
最大集射极击穿电压:35 V |
最大集电极电流:15 mA |
最小供电电压:1.45V |
波长:900nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):200 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA |
视角:60° |
输出阻抗:10 MΩ |
ESD抗扰度(CDM):400 V |
ESD抗扰度(HBM):2 kV |
产品种类:光电晶体管 |
供电电压范围:1.45V 至 5.5V |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:1000 nA/lx |
典型暗电流:3.4 nA |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
半角:60° |
单位重量:76 mg |
响应时间:14000 μs |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C 至 100°C |
封装:MouseReel |
工作温度范围:-40°C 至 100°C |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
工厂包装数量:2000 |
最大供电电压:6V |
最大供电电流:15 mA |
最大暗电流:50 nA |
最大正向电压:0.56V |
最大正向电流:0.5 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
湿度敏感性:Yes |
输出阻抗:10 MΩ |
零件号别名:Q65110A2485 SFH 325 FA-4 Q65110A2485 |
ESD耐压(CDM):400 V |
ESD耐压(HBM):2 kV |
上升时间典型值:14000 μs |
产品种类:光电晶体管 |
光谱灵敏度典型值:1000 nA/lx |
光谱灵敏度范围:450 ... 705 nm |
典型供电电压:5 V |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
单位重量:37 mg |
商标:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C 至 100°C |
封装:MouseReel |
工作温度范围:-40°C 至 100°C |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
工厂包装数量:2000 |
暗电流典型值:3.4 nA |
暗电流最大值:50 nA |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
湿度敏感性:Yes |
输出阻抗典型值:10 MΩ |
功率 - 最大值:150 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 |
方向:顶视图 |
暗电流最大值:1 nA |
最大功率:150 mW |
波长:850 nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):1 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA |
视角:110° |
集射极击穿电压最大值:35 V |
集电极电流最大值:100 mA |
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