上升时间:250 ns |
上升时间 (530 nm):75 ns |
上升时间 (940 nm):250 ns |
下降时间:200 ns |
下降时间 (530 nm):200 ns |
下降时间 (940 nm):75 ns |
产品类型:PIN 光电二极管 |
光敏面积:8.12 mm² |
光谱响应范围:400 ... 1100 nm |
半强度角度:60° |
反向电压:16 V |
品牌:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装尺寸:5.09 mm x 4 mm x 0.85 mm |
封装形式:Cut Tape |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:100 pA |
暗电流 (10V):0.1 nA |
暗电流 (5V):0.07 nA |
最大工作温度:+85 ℃ |
最大灵敏度波长:830 nm |
最小工作温度:-40 ℃ |
有效芯片尺寸:2.85 x 2.85 mm |
正向电压:1.1 V |
湿度敏感性:Yes |
生命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
电容 (5V, 1MHz):23 pF |
系列:SFH 2202 |
零件号别名:Q65113A5235 |
ESD抗静电电压:2 kV |
上升时间:93 ns |
下降时间:93 ns |
产品种类:光电二极管 |
光敏面积:3.4 mm² |
光谱灵敏度范围:400 ... 1100 nm |
半强度角度:65 deg |
反向电压:16 V |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Cut Tape |
峰值波长:930 nm |
工厂包装数量:3000 |
开路电压:270 mV |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+85 C |
最小工作温度:-40 C |
正向电压:1.05 V |
湿度敏感性:Yes |
电容:22.8 pF |
芯片尺寸:1.975 × 1.975 mm |
上升时间:100 ns |
下降时间:95 ns |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:60 deg |
单位重量:43 mg |
反向电压(Vr):16 V |
商标:ams OSRAM |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:950 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+85 C |
最小工作温度:-40 C |
湿度敏感性:Yes |
零件号别名:Q65112A6727 |
ESD耐压:2 kV |
上升时间:5 ns |
下降时间:5 ns |
产品种类:光电二极管 |
产品类型:PIN 光电二极管 |
光电流:6.2 uA |
功率耗散 (Pd):120 mW |
半强度角度:60 deg |
单位重量:12 mg |
反向电压 (Vr):20 V |
响应率:0.65 A/W |
噪声等效功率 (NEP):2.8E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:2 mm |
封装:MouseReel |
封装/箱体:DIL-SMT-3 |
峰值波长:900 nm |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+100 C |
最小工作温度:-40 C |
正向电压 (Vf):1.3 V |
资格认证:AEC-Q101 |
长度:2.6 mm |
高度:1.1 mm |
ESD抗静电能力:2 kV (HBM) |
上升时间:3.6 μs |
下降时间:3.5 μs |
产品种类:光电二极管 |
光敏面积:3.27 mm² |
光电流:2.3 μA |
半强度角度:65° |
单位重量:340.595 mg |
反向电压:16 V |
封装尺寸:3.2 mm x 2 mm |
封装形式:MouseReel |
峰值波长:940 nm |
工作模式:PCB Mount |
工作温度范围:-40°C ~ +85°C |
暗电流:100 pA |
正向电流:10 mA |
湿度敏感性:Yes |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品种类:光电二极管 |
产品类型:PIN 光电二极管 |
光电流:50 uA |
功率耗散:150 mW |
半强度角度:60 deg |
单位重量:43 mg |
反向电压:16 V |
响应率:0.65 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 (NEP):3.9E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:SMD/SMT |
宽度:4 mm |
封装/箱体:DIL-SMT-2 |
封装类型:MouseReel |
峰值波长:880 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+100 C |
最小工作温度:-40 C |
正向电压:1.3 V |
正向电流:100 mA |
湿度敏感性:Yes |
资格认证:AEC-Q101 |
长度:4.5 mm |
高度:1.2 mm |
产品种类:光电二极管 |
单位重量:43 mg |
商标:ams OSRAM |
封装:MouseReel |
工厂包装数量:1500 |
湿度敏感性:Yes |
资格:AEC-Q101 |
零件号别名:Q65110A2699 BPW 34 FASR Q65110A2699 |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品种类:光电二极管 |
产品类型:PIN Photodiodes |
光电流:80 uA |
光电类型:Silicon PIN Photodiode |
功率耗散(Pd):150 mW |
半强度角度:60 deg |
单位重量:78 mg |
反向电压(Vr):32 V |
响应率:0.62 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率(NEP):4.1E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
宽度:4 mm |
封装:Tube |
封装/箱体:DIL-2 |
峰值波长:850 nm |
工厂包装数量:1000 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+100 C |
最小工作温度:-40 C |
正向电压(Vf):1.3 V |
正向电流(If):100 mA |
资格认证:AEC-Q101 |
长度:4.5 mm |
零件号别名:Q62702P0073 |
高度:2.2 mm |
不同 nm 时响应度:0.34 A/W @ 535nm |
二极管类型:引脚 |
反向电压(最大):6 V |
响应度:0.34 A/W @ 535nm |
响应时间:47ns,67ns |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD,无引线 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
工作温度范围:-40°C ~ 85°C |
暗电流(典型值):100pA |
有效面积:1.51mm² |
波长:900nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):6 V |
电流 - 暗(典型值):100pA |
视角:120° |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
ESD耐受电压:2 kV |
上升时间:0.12 μs |
下降时间:0.12 μs |
产品类型:PIN光电二极管 |
光电流:1.5 μA |
光谱响应范围:700 ~ 1100 nm |
半强度角:60° |
反向电压:5 V |
存储温度范围:-40°C ~ +100°C |
安装风格:SMD/SMT |
封装类型:SMD-2 |
峰值波长:890 nm |
工作温度范围:-40°C ~ +100°C |
工厂包装数量:3000 |
敏感区域面积:0.35 mm² |
暗电流:5 nA |
最大反向电压:16 V |
正向电压:0.80 V |
正向电流:5 mA |
湿度敏感等级:MSL 3 |
电容:4.6 pF |
认证:AEC-Q101, AEC-Q102 |
ESD耐压:2 kV |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品种类:光电二极管 |
光敏面积:7.02 mm² |
光谱灵敏度 (850 nm):0.62 A/W |
半强度角度:60 deg |
单位重量:43 mg |
反向电压 (Vr):32 V |
噪声等效功率 (NEP):0.041 pW/√Hz |
安装风格:SMD/SMT |
封装:MouseReel |
峰值波长:850 nm |
开路电压 (Voc):300 mV |
探测极限 (D*):6.5e12 cm·Hz^(1/2)/W |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+100 °C |
最大耗散功率:150 mW |
最小工作温度:-40 °C |
正向电压 (VF):1.3 V |
温度系数 (TCv):-2.6 mV/K |
电容 (C):72 pF |
短路电流 (Isc):80 μA |
短路电流温度系数 (TC):0.18 %/K |
芯片尺寸:2.65 x 2.65 mm |
量子效率 (850 nm):0.90 电子/光子 |
不同 nm 时响应度:0.37 A/W @ 550nm |
光谱范围:400 nm ~ 690 nm |
反向电压(最大):16 V |
响应度(550 nm):0.37 A/W |
响应时间:90 ns |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD,鸥翼 |
封装类型:2-SMD,鸥翼 |
峰值波长:620 nm |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
暗电流(典型):5 nA |
有效面积:7.02 mm² |
波长:620nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):16 V |
电流 - 暗(典型值):5nA |
视角:60° |
频谱范围:400nm ~ 690nm |
不同 nm 时响应度:0.62 A/W @ 870nm |
二极管类型:引脚 |
反向电压(最大值):50 V |
响应度(@870nm):0.62 A/W |
响应时间:5ns |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 |
峰值波长:850nm |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
暗电流(典型值):1nA |
有效面积:1mm² |
波长:850nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
视角:20° |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:引脚 |
反向电压(最大值):50 V |
响应时间:5ns |
安装类型:通孔 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
工作温度范围:-40°C ~ 85°C |
暗电流(典型值):100pA |
有效面积:1mm² |
波长:900nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):100pA |
视角:30° |
频谱范围:750nm ~ 1100nm |
二极管类型:引脚 |
响应时间:5ns |
安装类型:表面贴装型 |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
波长:900nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
视角:120° |
频谱范围:750nm ~ 1100nm |
二极管类型:引脚 |
响应时间:20ns |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
有效面积:7.02mm² |
波长:900nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):32 V |
电流 - 暗(典型值):2nA |
视角:130° |
频谱范围:740nm ~ 1120nm |
ESD耐压:2 kV |
上升时间:0.01 us |
下降时间:0.01 us |
光电流:2.7 uA |
功率耗散:30 mW |
半强度角度:60 deg |
单位重量:300 mg |
反向电压:30 V |
安装风格:Through Hole |
封装形式:Cut Tape |
峰值波长:1100 nm |
敏感波长范围:740 .. 1100 nm |
敏感面积:typ. 0.31 mm² |
暗电流:50 pA |
暗电流(TA=25℃):typ. 0.05 nA |
最大工作温度:+100 C |
最大灵敏度波长:typ. 870 nm |
最小工作温度:-40 C |
正向电流:100 mA |
热敏电阻公差:typ. 3% |
热敏电阻型号:EPCOS B57860S0103A002 |
热敏电阻标称阻值:typ. 10 kΩ |
电压温度系数:typ. -2.6 mV / K |
电容(VR=0V, f=1MHz):max. 13 pF |
芯片尺寸:typ. 0.56 x 0.56 mm |
二极管类型:引脚 |
响应时间:40ns |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD,无引线 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
有效面积:7.02mm² |
波长:940nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
视角:120° |
频谱范围:300nm ~ 1100nm |
上升时间:14000 μs |
产品种类:光电二极管 |
供电电压范围:1.45 V 至 5.5 V |
光谱响应范围:450 ... 705 nm |
光谱灵敏度:典型值 1000 nA/lx |
典型暗电流:3.4 nA |
典型输出电流(100 lx):135 μA |
单位重量:44 mg |
品牌:ams OSRAM |
存储温度范围:-40°C 至 100°C |
封装:MouseReel |
工作温度范围:-40°C 至 100°C |
工作电流温度系数:-0.07% / K |
工厂包装数量:1500 |
最大ESD耐受电压(CDM):400 V |
最大ESD耐受电压(HBM):2 kV |
最大供电电压:6 V |
最大供电电流:15 mA |
最大暗电流:50 nA |
最大正向电压:0.56 V |
最大正向电流:0.5 mA |
最大灵敏度波长:600 nm |
湿度敏感性:Yes |
照度范围:0.01 Ix 至 10000 Ix |
资格认证:AEC-Q101 |
输出阻抗:10 MΩ |
ESD耐压(CDM):400V |
ESD耐压(HBM):2kV |
上升时间:14000μs |
二极管类型:引脚 |
反向电压(最大):50 V |
响应时间:5ns |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 |
封装类型:径向 |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
工作电流温度系数(典型):-0.07% / K |
暗电流(典型):1nA |
最大电源电流:15mA |
有效面积:1mm² |
正向电压(典型):0.52V |
波长:900nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
电源电压范围:1.45V ~ 5.5V |
视角:20° |
输出暗电流(典型):3.4nA |
输出暗电流(最大):50nA |
输出电流(典型):135μA |
输出阻抗(典型):10MΩ |
频谱范围:750nm ~ 1100nm |
ESD耐受电压:1.5 kV |
不同 nm 时响应度:0.37 A/W @ 620nm |
二极管类型:引脚 |
反向电压(最大值):16 V |
响应度(@620nm):0.37 A/W |
响应时间:90ns |
噪声等效功率(NEP):0.048 pW/Hz¹/² |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD,无引线 |
封装类型:2-SMD,无引线 |
峰值波长:620nm |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
工作温度范围:-40°C ~ 100°C |
暗电流(典型值):1nA |
最大功耗:150 mW |
有效面积:7.02mm² |
检测极限(D*):5.5e12 cm·Hz¹/²/W |
波长:620nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):16 V |
电容:135 pF |
电流 - 暗(典型值):1nA |
短路电流(@550nm):7.3 μA |
视角:120° |
量子效率(@550nm):0.83 电子/光子 |
频谱范围:400nm ~ 690nm |
ESD 耐受电压(HBM):2 kV |
上升时间:0.06 μs |
下降时间:0.06 μs |
产品种类:PIN 光电二极管 |
供电电压范围:1.45 V 至 5.5 V |
光谱响应范围:450 nm 至 705 nm |
光谱灵敏度:典型 1000 nA/lx |
半强度角度:55° |
单位重量:3.800 mg |
反向电压:16 V |
安装风格:SMD/SMT |
封装:SMD-2 |
峰值波长:580 nm |
工作温度范围:-40°C 至 +100°C |
暗电流:5 nA |
最大供电电流:15 mA |
温度系数:-0.07% / K |
认证:AEC-Q101, AEC-Q102 |
输出暗电流:最大 50 nA,典型 3.4 nA |
输出电流(典型):135 μA |
输出阻抗:典型 10 MΩ |
上升时间:10 ns |
下降时间:10 ns |
光电流:20 uA |
功率耗散:150 mW |
半强度角度:17 deg |
单位重量:200 mg |
反向电压:20 V |
响应率:0.6 A/W |
商标:ams OSRAM |
噪声等效功率 - NEP:0.65E-14 W/sqrt Hz |
安装风格:Through Hole |
封装:Bulk |
封装 / 箱体:T-1 |
峰值波长:900 nm |
工厂包装数量:2000 |
暗电流:50 pA |
最小工作温度:-40 C |
正向电压:1.3 V |
正向电流:100 mA |
资格认证:AEC-Q101 |
长度:4 mm |
高度:5.2 mm |
上升时间:4.6 μs |
下降时间:3 μs |
半强度角度:65 deg |
反向电压:16 V |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Cut Tape |
峰值波长:940 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:250 pA |
最大工作温度:+85 °C |
最小工作温度:-40 °C |
湿度敏感性:Yes |
不同 nm 时响应度:0.7 A/W @ 940nm |
二极管类型:引脚 |
响应时间:40ns |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD,无引线 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
有效面积:7.02mm² |
波长:940nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
视角:120° |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
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