芯片尺寸:2.0 x 2.0 mm |
噪声密度:100 nV /√Hz |
电源电压:2.7 ~ 25 V |
温度补偿:yes |
工作/储存温度:-30~85℃ |
推荐电压:3~5V |
灵敏元光学距离:0.9 mm |
热时间常数:150 ms |
电压响应率:170V/W |
电时间常数:4s |
电阻/电容:100G |
窗口尺寸:5.0 x 5.0 mm |
视场角:110° |
运算放大器:no |
芯片尺寸:1.5x 1.5 mm |
噪声密度:100 nV /√Hz |
电源电压:2.7 ~ 25 V |
工作/储存温度:-30~75 °C |
推荐电压:3~5V |
比探测率:4.5E+08 cm√Hz/W |
灵敏元光学距离:0.9 mm |
热时间常数:6s |
电压响应率:250V/W |
电阻/电容:100G |
窗口尺寸:φ 5.0 mm |
视场角:120° |
芯片尺寸:2.0 x 2.0 mm |
视场范围 (FOV):95° |
噪声密度:150 nV/√Hz |
电源电压:2.7 ~ 25 V |
工作/储存温度:-30 ~ 85℃ |
推荐电压:3 ~ 5 V |
比探测率:6.0E+08 cm√Hz/W |
热时间常数:150 ms |
电压响应率:600 V/W |
电时间常数:5 s |
电阻/电容:100G / 0.9 mm |
窗口尺寸:Φ 5.0 mm |
芯片尺寸:2.0 x 2.0 mm |
视场范围 (FOV):110° |
噪声密度:150 nV/√Hz |
电源电压:2.7 ~ 25 V |
工作/储存温度:-30-85℃ |
推荐电压:3-5 V |
比探测率:6.0E+08 cm√Hz/W |
灵敏元光学距离:0.9 mm |
热时间常数:150 ms |
电压响应率:600 V/W |
电时间常数:5 s |
电阻/电容:100G |
窗口尺寸:5.0 x 5.0 mm |
芯片尺寸:2.0 mm x 2.0 mm |
视场范围 (FOV):120° |
噪声密度:10 pV/√Hz |
电源电压:2.7 - 10 V |
温度补偿:无 |
工作/储存温度:-40 ~ 85 °C |
推荐电压:3 - 5 V |
比探测率:2.0E+08 cm·√Hz/W |
灵敏元光学距离:0.9 mm |
热时间常数:200 ms |
电压响应率:8,000 V/W |
电时间常数:1.0 ms |
电阻/电容:5G / 0.2pF |
窗口尺寸:5.0 mm x 5.0 mm |
运算放大器:有 |
芯片尺寸:1.5 x 1.5 mm |
视场范围 (FOV):110° |
噪声密度:35 μV/√Hz |
电源电压:2.7 ~ 18 V |
温度补偿:yes |
比探测率:4.5E+08 cm√Hz/W |
电压响应率:85,000 V/W |
电时间常数:20 ms |
窗口尺寸:Φ 5.0 mm |
运算放大器:yes |
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