工作电流 (Icc):1.1 mA 至 2.4 mA |
封装类型:TO92UA 有铅封装 |
防护等级:±8 kV (HBM) |
反向电压保护能力:-18 V |
磁性关闭点 (BOFF):-2.5 mT |
磁性开启点 (BON):2.5 mT |
结温范围:-40°C 至 170°C |
输出刷新时间:2 µs |
过压保护能力:40 V |
输出电流(高电平):8mA至13mA |
封装类型:SOIC8-1 |
分辨率:12位 |
电压供电:4.5V至5.5V |
可编程性:通过非易失性存储器(EEPROM)进行编程,具有冗余和锁定功能 |
诊断功能:具备线路断裂检测、过压和欠压检测、ROM和信号路径监控 |
采样频率:8kHz |
封装类型:8引脚SOIC-8表面贴装封装 |
分辨率:16位数字编码值(二进制补码) |
温度系数:支持BX, BY和BZ的温度补偿 |
低功耗模式:支持外部唤醒或磁场/位置变化唤醒 |
采样频率:高达16 kSps |
非易失性内存:支持通过SPI接口编程 |
输出电流(高电平):1.6mA至5.2mA |
封装类型:SMD封装SOT89B-3 |
上升时间:75ns至400ns |
下降时间:75ns至400ns |
内部振荡器频率:62kHz至更高频率 |
启用时间:35µs |
输出漏电流:小于10µA |
过压保护范围:-15V至32V |
主体形状:矩形 |
封装类型:TO92UT-1/2 |
电压供电:4.5 V 至 5.5 V |
PWM输出分辨率:11位 |
PWM输出周期:8 ms |
偏移漂移:±0.2% VSUP |
最大耐压:8.5 V |
灵敏度漂移:±1% |
磁场范围:±15 mT |
输出分辨率:14位多路模拟输出 |
输出电流(高电平):典型值为 12 mA |
封装类型:8 引脚 SOIC8 表面贴装封装 |
内部振荡器频率:32 MHz |
功能安全等级:SEooC ASIL B 就绪 |
采样频率:最高 8 kSps |
封装类型:16引脚SSOP-16表面贴装封装 |
Output Interface Type:SPI,支持高达5MHz |
采样频率:高达16 kSps |
工作电流 (Icc):1.1 mA 至 2.4 mA |
封装类型:SOT23-3L JEDEC TO236 兼容封装 |
防护等级:±8 kV (HBM) |
电压供电:2.7 V 至 24 V |
关闭点 (BOFF):-2.5 mT (室温下典型值) |
典型工作电流:1.6 mA |
开启点 (BON):2.5 mT (室温下典型值) |
最大采样频率:500 kHz |
最大额定电压:-18 V 至 40 V |
滞后性 (BHYS):BON 与 BOFF 之间的差值 |
结温范围:-40°C 至 170°C |
输出刷新时间:2 µs |
外形尺寸:矩形 |
封装类型:8引脚SOIC8 |
分辨率:最高12位 |
PWM频率范围:0.2 kHz 至 2 kHz |
检测磁场分量:BX, BY, BZ |
线性化功能:客户可编程,最多33个设定点 |
诊断功能:板载诊断,包括过压、欠压检测、信号路径监控等 |
输出格式:PWM, SENT (符合SAEJ2716标准) |
输出配置:推挽或开漏输出 |
输出电流(高电平):1.6 mA |
封装类型:SOT23-3L JEDEC TO236 兼容封装 |
ESD 性能:±8 kV (HBM) |
关闭点 (BOFF):3.7 mT |
工作磁场频率:静态和动态磁场高达 12 kHz |
开启点 (BON):5.5 mT |
磁性开关类型:单极性 |
输出刷新时间:2 µs |
过压保护能力:高达 40 V |
采样频率:500 kHz |
输出电流(高电平):1.6 mA |
封装类型:TO92UA leaded package |
防护等级:±8 kV (HBM) |
符合标准:ISO 26262, ISO 7637, ISO 16750, IEC 61967, ISO 11452, ISO 62132 |
输出刷新时间:2 µs |
过压保护能力:40 V |
采样频率:500 kHz |
外观形式:QFN24 |
ADC分辨率:12位 |
AEC-Q100等级:Grade 1 |
DAC数量及位数:2个8位DAC |
ESD保护:8kV @ LIN端口 |
GPIO数量:7个 |
PWM位数:12位 |
内存配置:32KB Flash 内存, 2KB SRAM, 512字节 EEPROM |
定时器位数:16位 |
微控制器核心:32位 Arm® Cortex®-M3 CPU |
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