RoHS:Y |
产品类型:流量传感器 |
商标:ams |
子类别:Sensors |
封装:Reel |
封装形式:QFN32 |
封装方式:Reel |
工厂包装数量:3000 |
说明:流量传感器 QFN32 |
速度分辨率:250 ps(双通道模式)/ 125 ps(高分辨率模式) |
RoHS:Y |
产品类型:Flow Sensors |
商标:ams |
多击能力:每通道4次多击,最多8次多击(双通道排队) |
子类别:Sensors |
寿命周期:NRND:
不建议用于新设计。 |
封装:44-TQFP |
封装形式:Tray |
工作温度范围:-40°C - +85°C |
工作电压:2.7 V - 5.5 V |
工厂包装数量:160 |
接口类型:8位微控制器接口 |
最大功耗:约25 mA(分辨率调整模式) |
校准方式:软件校准 |
测量范围1:3 ns - 7.6 μs |
测量范围2:60 ns - 200 ms(带预分频器) |
说明:流量传感器 TQFP44 |
RoHS:Y |
RoHS认证:Y |
产品类型:Flow Sensors |
产品系列:TDC-GP30 |
供电电流(TOF测量):1.3mA |
供电电流(工作模式):80μA |
供电电流(待机模式):3.6μA |
商标:ams |
子类别:Sensors |
存储温度范围:-55℃~+150℃ |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装形式:QFN32 |
封装数量(工厂包装):3000 |
工作温度范围:-40℃~+125℃ |
工作电压:2.5V~3.6V |
工厂包装数量:3000 |
接口类型:SPI, UART, 脉冲接口 |
测量周期时间:0~4000ms |
测量频率范围:0.004Hz~80Hz |
系列:TDC-GP30 |
说明:流量传感器 TDC-GP30 QFN32 LF T&R |
静态电流(1.8V数字核心):0.08μA |
静态电流(GP30):1.9μA |
ESD 保护:±2 kV (HBM) |
RoHS:符合 |
产品类型:流量传感器 |
供电电流:最大 80 μA |
商标:ams |
子类别:Sensors |
存储容量:128 × 32 bit NVRAM, 4k × 8 bit NVRAM |
存储温度范围:-55℃ ~ +150℃ |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装形式:QFN40 |
封装数量:3000 |
工作温度范围:-40℃ ~ +125℃ |
工作电压:2.5V ~ 3.6V |
工厂包装数量:3000 |
待机电流:3.6 μA |
接口类型:SPI, UART, 脉冲接口 |
核心频率:最高 8 MHz |
测量周期时间:最大 4000 ms |
测量频率:0.004 Hz ~ 80 Hz |
系列:TDC-GP30 |
说明:流量传感器 TDC-GP30 QFN40 LF T&R |
RoHS:Y |
产品类型:流量传感器 |
低速振荡器频率:32.768kHz |
供电电流:6μA(8Hz测量频率) |
商标:ams |
子类别:Sensors |
存储容量:128 × 32位NVRAM(用户参数和数据), 4k × 8位NVRAM(用户程序代码) |
存储温度范围:-55℃ - +150℃ |
封装:QFN32 |
封装形式:Reel |
工作温度范围:-40℃ - +125℃ |
工作电压:2.5V - 3.6V |
工厂包装数量:3000 |
接口类型:SPI, UART, 脉冲接口 |
核心电压:1.65V - 1.92V |
测量周期时间:最大4000ms |
测量频率范围:0.004Hz - 80Hz |
系列:TDC-GP30 |
说明:流量传感器 QFN32 |
高速振荡器频率:3.6MHz - 8.8MHz |
ESD耐压:±2kV (HBM) |
RoHS:Y |
主频:32.768kHz (LSO), 4MHz (HSO) |
产品类型:流量传感器 |
典型供电电流:3.6μA (Standby模式) |
商标:ams |
子类别:Sensors |
存储容量:128×32位NVRAM, 4k×8位NVRAM, 4×8位ROM |
存储温度范围:-55℃~+150℃ |
封装形式:QFN40 |
封装数量:1000 |
工作温度范围:-40℃~+125℃ |
工作电压:2.5V~3.6V |
工厂包装数量:1000 |
接口类型:SPI, UART, 脉冲接口 |
最低供电电压:2.5V |
最大供电电压:4.0V |
最大工作电流:1.3mA (TOF测量期间) |
测量周期时间:976.5625μs~4000ms |
测量频率范围:0.004Hz~80Hz |
系列:TDC-GP30 |
终端电容:7pF (数字输入/输出/双向) |
说明:流量传感器 QFN40 |
ESD抗静电等级:±2kV |
ROM容量:4×8 bit |
RoHS:Y |
产品类型:Flow Sensors |
供电电流(TOF测量):1.3mA |
供电电流(工作模式):80μA |
供电电流(待机模式):3.6μA |
商标:ams |
子类别:Sensors |
存储容量(NVRAM):128×32 bit |
存储温度范围:-55℃~+150℃ |
封装形式:QFN32 |
封装数量(工厂包装):1000 |
工作温度范围:-40℃~+125℃ |
工作电压:2.5V~3.6V |
工厂包装数量:1000 |
接口类型:SPI, UART, 脉冲接口 |
测量周期时间:最大4000ms |
测量频率范围:0.004Hz~80Hz |
程序存储容量(NVRAM):4k×8 bit |
系列:TDC-GP30 |
说明:流量传感器 QFN32 |
静态电流(1.8V数字核心):0.08μA |
静态电流(GP30):1.9μA |
产品类型:流量传感器 |
低速振荡器频率:32.768kHz |
供电电流:6μA(8Hz测量频率) |
商标:ams |
子类别:Sensors |
存储容量:128 × 32 位 NVRAM(用户参数和数据), 4k × 8 位 NVRAM(程序代码) |
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃ |
封装形式:QFN40 |
封装数量:1000 |
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃ |
工作电压:2.5V 至 3.6V |
工厂包装数量:1000 |
接口类型:SPI, UART, 脉冲接口 |
核心电压:1.65V 至 1.92V |
测量周期时间:最大 4000ms |
测量频率范围:0.004Hz 至 80Hz |
电池兼容性:标准 2/3 AA 或 AA 锂硫氯电池 |
说明:流量传感器 TDC-GP30YA-F01 1K QFN40 LF T&R |
高速振荡器频率:3.6MHz 至 8.8MHz |
ESD等级:±2kV(HBM) |
产品类型:Flow Sensors |
供电电压:2.5V~3.6V |
商标:ams |
子类别:Sensors |
存储容量:128×32位NVRAM(用户参数), 4K×8位NVRAM(程序代码), 4×8位ROM(系统代码) |
存储温度范围:-55℃~+150℃ |
封装形式:QFN32 |
封装数量:1000 |
工作温度范围:-40℃~+125℃ |
工作电流(4MHz):80μA |
工厂包装数量:1000 |
待机电流:3.6μA |
接口类型:SPI, UART, 脉冲接口 |
最大工作频率:8MHz |
测量周期时间:0~4000ms |
测量精度:最高31次多击测量 |
测量频率范围:0.004Hz~80Hz |
温度测量:支持 |
电池支持:标准2/3 AA或AA锂亚硫酰氯电池 |
说明:流量传感器 TDC-GP30YD-F01 1K QFN32 LF T&R |
ESD抗静电等级:±2kV |
ROM容量:4×8 bit |
RoHS:Y |
产品类型:Flow Sensors |
供电电流(工作模式):80μA |
供电电流(待机模式):3.6μA |
供电电流(测量模式):1.3mA |
商标:ams |
子类别:Sensors |
存储容量(NVRAM):128×32 bit |
存储温度范围:-55℃~+150℃ |
封装:Reel |
封装形式:QFN40 |
封装形式(出厂):卷盘(Reel) |
工作温度范围:-40℃~+125℃ |
工作电压:2.5V~3.6V |
工厂包装数量:3000 |
接口类型:SPI, UART, 脉冲接口 |
测量周期时间:0.9765625ms~4000ms |
测量频率范围:0.004Hz~80Hz |
程序存储容量:4k×8 bit |
系列:TDC-GP30 |
说明:流量传感器 QFN40 |
RoHS:Y |
RoHS合规:Y |
产品类型:流量传感器 |
商标:ams |
子类别:Sensors |
寿命周期:NRND:
不建议用于新设计。 |
封装:Tray |
封装形式:QFN32 |
封装方式:Tray |
工厂包装数量:490 |
生命周期状态:不建议用于新设计 |
说明:流量传感器 QFN32 |
RoHS:Y |
产品类型:Flow Sensors |
商标:ams |
子类别:Sensors |
寿命周期:NRND: 不建议用于新设计。 |
封装:Reel |
工厂包装数量:2000 |
说明:流量传感器 QFN32 |
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