0:输出接口 |
1.5uA:工作模式 |
1.8~5.5 V:功耗 |
1:B_rp (Gs,25°C) |
CMOS:封装形式 |
In stock:规格说明书 |
SOT23-3 TO92S:交付周期 |
X轴:B_op (Gs,25°C) |
产品型号:TMR1202H |
兼容型号:类型 |
双极锁存:供电电压 |
响应频率:5000 Hz |
回差 (B_H):34 Gs |
封装形式:SOT23-3, TO-92S |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作点 (B_op):17 Gs |
工作电压范围:1.8~5.5 V |
工作电流:1.5 μA |
抗静电能力 (ESD):4 kV |
敏感方向:X轴 |
最大外加磁场:2800 G |
输出接口:CMOS |
输出电平:高电平/低电平 |
连续供电:敏感方向 |
释放点 (B_rp):-17 Gs |
0:输出接口 |
1.5uA:工作模式 |
1.8~5.5 V:功耗 |
1:B_rp (Gs,25°C) |
CMOS:封装形式 |
In stock:规格说明书 |
SOT23-3 TO92S:交付周期 |
X轴:B_op (Gs,25°C) |
产品型号:TMR1202HT |
兼容型号:类型 |
双极锁存:供电电压 |
响应频率:5000 Hz |
回差(BH):34 G |
封装形式:SOT23-3, TO92S |
工作温度范围:-40~150 ℃ |
工作点(BOP):17 G |
工作电压:1.8~5.5 V |
工作电流:1.5 μA |
抗ESD能力:2 kV (HBM) |
最大外加磁场:2800 G |
输出类型:CMOS |
连续供电:敏感方向 |
释放点(BRP):-17 G |
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