交付周期:In stock |
产品型号:TMR2301 |
供电电压:0~7 V |
兼容型号:— |
存储温度范围:-50~150 ℃ |
封装形式:LGA12L(4x4x2.5) |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作电流:0.2 mA |
敏度(mV/V/Oe):1 |
敏感方向:X/Y/Z轴 |
本底噪声:~100 nT/rt(Hz) @1Hz |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~100 |
灵敏度:1 mV/V/Oe |
灵敏度温度系数:-1100 PPM/℃ |
电阻:15 kΩ |
电阻温度系数:-500 PPMC |
电阻(kΩ):15 |
磁滞:1 Oe |
磁滞(Oe):1 |
磁阻结构:全桥 |
非线性度:1.5 %FS |
饱和场(Oe):±500 |
饱和磁场:±500 Oe |
供电电压:0~7 V |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR2305M |
兼容型号:— |
功耗:低功耗 |
动态范围:极宽动态范围 |
封装形式:Module(9.5 x 9.5 x 6 mm) |
工作电流:0.3 mA @1V |
敏度(mV/V/Oe):25 |
敏感方向:X/Y/Z轴 |
本底噪声:~2 nT/√Hz @1Hz |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~2 |
温度稳定性:优越的温度稳定性 |
灵敏度:25 mV/V/Oe |
电阻:9 kΩ |
电阻(kΩ):9 |
磁滞:1 Oe |
磁滞(Oe):1 |
磁阻结构:全桥 |
饱和场:±10 Oe |
饱和场(Oe):±10 |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
供电电压:0~7 V |
ESD性能:4000 V (HBM) |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR2307 |
兼容型号:— |
失调电压:-10~10 mV/V |
存储温度范围:-50~150 ℃ |
封装形式:LGA12L(7x7x2.5) |
工作电流:0.7 mA |
敏度(mV/V/Oe):8 |
敏感方向:X/Y/Z轴 |
最大外加冲击磁场:4000 Oe |
本底噪声:~1 nT/√Hz @1Hz |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~1 |
灵敏度:8 mV/V/Oe |
灵敏度温度系数:-150~150 PPM/℃ |
电阻:1.5 kΩ |
电阻温度系数:-500 PPM/℃ |
电阻(kΩ):1.5 |
磁滞:0.2 Oe |
磁滞(Oe):0.2 |
磁阻结构:全桥 |
非线性度:0.5 %FS |
饱和场:±30 Oe |
饱和场(Oe):±30 |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
供电电压:0~3 V |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR2309 |
使用技术:隧道磁电阻 (TMR) |
兼容型号:— |
存储温度范围:-50~150 ℃ |
封装尺寸:9.5×9.5×6.0 mm |
封装形式:Module(9.5x9.5x6.0) |
工作电流:0.07 mA |
敏度(mV/V/Oe):100 |
敏感方向:X/Y/Z轴 |
本底噪声:150 pT/√Hz @1Hz |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~0.15 |
灵敏度:100 mV/V/Oe |
电阻值:15 kΩ |
电阻(kΩ):15 |
磁滞:0.02 Oe |
磁滞(Oe):0.02 |
磁阻结构:全桥 |
输出形式:差分电压输出 |
饱和场(Oe):±8 |
饱和磁场:±8 Oe |
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