交付周期:In stock |
产品型号:TMR2001 |
供电电压:0~7 V |
兼容型号:— |
失调电压:-30~30 mV |
失调电压温度系数:0.02 mV/℃ |
存储温度范围:-50~150 ℃ |
封装形式:SOT23-5 |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作电流:16 μA |
敏度(mV/V/Oe):8 |
敏感方向:X轴 |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/ |
灵敏度:8 mV/V/Oe |
灵敏度温度系数:-1160 ppm/℃ |
电阻:60 kΩ |
电阻(kΩ):60 |
磁滞:0.4 Oe |
磁滞(Oe):0.4 |
磁阻结构:全桥 |
非线性度:1.2 %FS |
饱和场:±25 Oe |
饱和场(Oe):±25 |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR2003 |
供电电压:0~7 V |
兼容型号:— |
失调电压:-30~30 mV |
失调电压温度系数:0.02 mV/V/℃ |
存储温度范围:-50~150 ℃ |
封装形式:SOT23-5 |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作电流:18 μA |
敏度(mV/V/Oe):6 |
敏感方向:X轴 |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/ |
灵敏度:6 mV/V/Oe |
灵敏度温度系数:-1100 PPM/℃ |
电阻:60 kΩ |
电阻(kΩ):60 |
磁滞:0.4 Oe |
磁滞(Oe):0.4 |
磁阻结构:全桥 |
非线性度:1 %FS |
饱和场:±35 Oe |
饱和场(Oe):±35 |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR2005 |
供电电压:0~7 V |
兼容型号:— |
失调电压:-30~30 mV |
失调电压温度系数:0.02 mV/℃ |
存储温度范围:-50~150 ℃ |
封装形式:SOT23-5 |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作电流:17 μA |
敏度(mV/V/Oe):3 |
敏感方向:X轴 |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/ |
灵敏度:3 mV/V/Oe |
灵敏度温度系数:-490 ppm/℃ |
电阻:60 kΩ |
电阻(kΩ):60 |
磁滞:0.5 Oe |
磁滞(Oe):0.5 |
磁阻结构:全桥 |
非线性度:1 %FS |
饱和场:±60 Oe |
饱和场(Oe):±60 |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR2009 |
使用温度范围(℃):-40~125 |
供电电压:0~7 V |
兼容型号:— |
失调电压温度系数(PPMC):0.02 |
失调电压(mV):-30~30 |
存储温度范围(℃):-50~150 |
封装形式:SOT23-5 |
工作电压范围(V):1~7 |
工作电流(uA):16.7 |
敏度(mV/V/Oe):0.3 |
敏感方向:X轴 |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/ |
灵敏度温度系数(PPWC):-135 |
灵敏度(mV/V/Oe):0.3 |
电阻(kΩ):10,60 |
磁滞(Oe):1.2 |
磁阻结构:全桥 |
非线性度(%FS):1.2 |
饱和场(Oe):±200 |
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