功耗特性:低功耗 |
发射功率:高 |
工作电压:低电压 |
抗干扰能力:强 |
接收距离:长 |
灵敏度:高 |
绝缘性能:好 |
中心频率:38 KHz |
低电平脉冲宽度:400~800 μs |
低电平输出电压:0.2~0.4 V |
典型工作电流:0.4~1.5 mA |
响应波长:940 nm |
存储温度范围:-25~+85 ℃ |
封装尺寸(以CRM-383VG1-33为例):φ4.67*6.95*5.1 mm |
工作温度范围:-20~+80 ℃ |
工作电压:2.7~5.5 V |
最大接收距离:15 m |
水平半角:±45° |
高电平脉冲宽度:400~800 μs |
高电平输出电压:2.8~3.0 V |
中心频率:38 kHz |
低电平脉冲宽度:400~800 μs |
低电平输出电压:0.2~0.4 V |
典型工作电流:0.8~2.0 mA |
发射器与探测器距离:12 m |
响应波长:940 nm |
存储温度范围:-25~+85 ℃ |
封装尺寸:5.85*6.8~6.85*5.1 mm |
工作温度范围:-20~+80 ℃ |
工作电压:2.7~5.5 V |
水平半角:±45° |
高电平脉冲宽度:400~800 μs |
高电平输出电压:2.8~3.0 V |
低电平脉冲宽度:400 ~ 800 μs |
低电平输出电压:0.2 ~ 0.4 V |
供电电压:2.7 ~ 5.5 V |
半角:±45° |
发射器与探测器间距(0°):12.0 m |
发射器与探测器间距(45°):6.0 m |
响应波长:940 nm |
存储温度:-25 ~ +85 ℃ |
工作温度:-25 ~ +85 ℃ |
带通中心频率:38 kHz |
焊接温度:260 ℃ |
电流消耗:0.3 ~ 0.8 mA |
输出形式:低电平输出 |
高电平脉冲宽度:400 ~ 800 μs |
高电平输出电压:2.8 ~ 3.2 V |
低电平脉冲宽度:400~800 μs |
低电平输出电压:0.2~0.4 V |
供电电压:2.7~5.5 V |
半角:±45° |
发射器与探测器间距:15 m |
响应波长:940 nm |
存储温度范围:-25~+85 ℃ |
工作温度范围:-20~+80 ℃ |
工作电流:0.4~1.5 mA |
带通中心频率:38 kHz |
焊接温度:260 ℃(最大5秒) |
输出形式:低电平输出 |
高电平脉冲宽度:400~800 μs |
高电平输出电压:2.8~3.0 V |
中心频率:38 kHz |
低电平脉冲宽度:400 ~ 800 μs |
低电平输出电压:0.2 ~ 0.4 V |
供电电压:2.7 ~ 5.5 V |
半角范围:±45° |
发射器与探测器间距(0°):12.0 m |
发射器与探测器间距(45°):6.0 m |
响应波长:940 nm |
存储温度范围:-25 ~ +85 ℃ |
工作温度范围:-25 ~ +85 ℃ |
最大焊接时间:5 s |
最大焊接温度:260 ℃ |
电流消耗:0.3 ~ 0.8 mA |
输出形式:低电平输出 |
高电平脉冲宽度:400 ~ 800 μs |
高电平输出电压:2.8 ~ 3.2 V |
中心频率:38 kHz |
低电平脉冲宽度:400~800 μs |
低电平输出电压:0.2~0.4 V |
供电电压:2.7~5.5 V |
半角范围:±45°(水平方向) |
发射器与探测器间距:12 m |
响应波长:940 nm |
存储温度范围:-25~+85 ℃ |
工作温度范围:-20~+80 ℃ |
电流消耗:0.8~2.0 mA(无信号) |
输出形式:低电平输出 |
高电平脉冲宽度:400~800 μs |
高电平输出电压:2.8~3.0 V |
中心频率:38 kHz |
低电平脉冲宽度:400~800 μs |
低电平输出电压:0.2~0.4 V |
供电电压:2.7~5.5 V |
半角范围:±45° |
发射器与探测器间距:12 m |
响应波长:940 nm |
存储温度范围:-25~+85 ℃ |
工作温度范围:-20~+80 ℃ |
输出形式:低电平输出 |
静态电流:0.45~1.5 mA |
高电平脉冲宽度:400~800 μs |
高电平输出电压:4.8~5.0 V |
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