长度:0.0700 inch (1.78 mm) |
标称阻值:100 R0 @ 0° C |
工作温度:-58 to 752 F (-50 to 400 C) |
传感器技术:Thin Film |
精度:±0.12% (EN60751 Class B) |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:漂移小于 0.1°C/年(正常使用) |
材料:氧化铝基板,带熔接玻璃盖 |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
长度:0.1260 inch (3.2 mm) |
标称阻值:100 R0 @ 0° C |
工作温度:-58 to 302 F (-50 to 150 C) |
传感器技术:Thin Film |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:400, 600°C 元件 ±0.02" (0.5 mm); SMT 模型:长 x 宽 ±0.008 (0.2 mm), 厚度 ±0.004 (0.1 mm) |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:漂移小于 0.1°C/年(正常使用) |
材料:氧化铝基板,带熔接玻璃盖 |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:±0.12% (EN60751 Class B) |
冲击承受能力:耐受 100 G 的最小 8 毫秒正弦波冲击 |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
振动抗性:在 10 到 2,000 Hz 范围内耐受 20 G 的最小振动 |
长度:0.1260 inch (3.2 mm) |
标称阻值:1000 R0 @ 0° C |
工作温度:-58 to 302 F (-50 to 150 C) |
传感器技术:Thin Film |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:SMT 模型: 长 x 宽 ±0.008 (0.2 mm), 厚度 ±0.004 (0.1 mm) |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:正常使用时漂移小于 0.1°C/年 |
材料:氧化铝基材,熔融玻璃盖 |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:±0.12% (EN60751 Class B) |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
长度:0.0700 inch (1.78 mm) |
标称阻值:1000 R0 @ 0° C |
工作温度:-58 to 752 F (-50 to 400 C) |
传感器技术:Thin Film |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:400, 600°C 元件 ±0.02" (0.5 mm); SMT 模型 ±0.008" (0.2 mm) 长 x 宽, ±0.004" (0.1 mm) 厚度 |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:正常使用时漂移小于 0.1°C/年 |
材料:氧化铝基板,带熔接玻璃盖 |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:±0.12% (EN60751 Class B) |
冲击承受能力:8 毫秒正弦波冲击耐受 100 G |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
振动抗性:10 到 2000 Hz 下耐受 20 G |
长度:0.2000 inch (5.08 mm) |
标称阻值:10000 R0 @ 0° C |
工作温度:-58 to 752 F (-50 to 400 C) |
传感器技术:Thin Film |
精度:±0.12% (EN60751 Class B) |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:±0.004 (0.1 mm) |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:漂移小于 0.1°C/年(正常使用) |
材料:氧化铝基材,熔融玻璃盖 |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
长度:0.0900 inch (2.29 mm) |
标称阻值:100 R0 @ 0° C |
工作温度:-94 to 752 F (-70 to 400 C) |
传感器技术:Thin Film |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:漂移小于 0.1°C/年(正常使用) |
材料:氧化铝基板,带熔接玻璃盖 |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:±0.12% (EN60751 Class B) |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
长度:0.2000 inch (5.08 mm) |
标称阻值:1000 R0 @ 0° C;1000 R0 @ 0° C |
工作温度:-94 to 752 F (-70 to 400 C) |
传感器技术:Thin Film |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:漂移小于 0.1°C/年(正常使用) |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:±0.12% (EN60751 Class B) |
冲击承受能力:100 G’s 最小,8 毫秒正弦波冲击 |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
振动抗性:20 G’s 最小,频率范围 10 to 2,000 Hz |
长度:0.0900 inch (2.29 mm) |
标称阻值:100 R0 @ 0° C |
工作温度:-94 to 1112 F (-70 to 600 C) |
传感器技术:Thin Film |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:400, 600°C 元件 ±0.02" (0.5 mm); SMT 模型 ±0.008" (0.2 mm) 长 x 宽, ±0.004" (0.1 mm) 厚度 |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:漂移小于 0.1°C/年(正常使用) |
材料:氧化铝基板,带熔接玻璃盖 |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:±0.12%(EN60751 B级) |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
长度:0.2000 inch (5.08 mm) |
标称阻值:1000 R0 @ 0° C |
工作温度:-94 to 1112 F (-70 to 600 C) |
传感器技术:Thin Film;薄膜 (Thin Film) |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:漂移小于 0.1°C/年(正常使用) |
材料:氧化铝基板,带熔接玻璃盖 |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:±0.12% (EN60751 Class B) |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
长度:0.4500 inch (11.43 mm) |
标称阻值:100 R0 @ 0° C |
工作温度:部分元件可用于低至 -269°C 的应用 |
传感器技术:Wire Wound |
宽度 / 直径:0.0400 inch (1.02 mm) |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:±0.06 (1.5 mm) |
滞后误差:±0.1°C 或更好 |
长期稳定性:漂移小于 0.1°C/年(正常使用) |
材料:玻璃涂层陶瓷 |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:± 0.1% at 0°C |
冲击承受能力:100G’s 最小正弦波冲击,持续 8 毫秒 |
标准:EN60751,B级 |
温度系数 (TCR):0.00385 Ω/ |
振动抗性:20 G’s 最小,频率范围 10 to 2,000 Hz |
长度:0.4000 inch (10.16 mm) |
标称阻值:100 R0 @ 0° C |
工作温度:-148 to 1022 F (-100 to 550 C) |
传感器技术:Wire Wound |
宽度 / 直径:0.0580 inch (1.47 mm) |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:±0.005" (0.13 mm) |
滞后误差:±0.1°C or better |
长期稳定性:Drift less than 0.1°C/year (normal use) |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:± 0.1% at 0°C |
长度:0.3000 inch (7.62 mm) |
标称阻值:100 R0 @ 0° C |
工作温度:-148 to 1022 F (-100 to 550 C) |
传感器技术:Wire Wound |
宽度 / 直径:0.0770 inch (1.96 mm) |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:±0.005" (0.13 mm) |
滞后误差:±0.1°C或更好 |
长期稳定性:漂移小于0.1°C/年(正常使用) |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:± 0.1% at 0°C |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
长度:0.4000 inch (10.16 mm) |
标称阻值:100 R0 @ 0° C |
工作温度:-148 to 1022 F (-100 to 550 C) |
传感器技术:Wire Wound |
宽度 / 直径:0.1000 inch (2.54 mm) |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:±0.06" (1.5 mm) |
滞后误差:±0.1°C or better |
长期稳定性:Drift less than 0.1°C/year (normal use) |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:±0.1% at 0°C |
冲击承受能力:Withstands 100G’s minimum sine wave shock of 8 milliseconds duration |
振动抗性:Withstands 20 G’s minimum at 10 to 2,000 Hz |
长度:1 inch (25.4 mm) |
标称阻值:500 R0 @ 0° C |
工作温度:-148 to 1022 F (-100 to 550 C) |
传感器技术:Wire Wound |
宽度 / 直径:0.0770 inch (1.96 mm) |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:±0.4" (10.2mm) |
滞后误差:±0.1°C or better |
长期稳定性:Drift less than 0.1°C/year (normal use) |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:± 0.1% at 0°C |
长度:1.2 inch (30.48 mm) |
标称阻值:500 R0 @ 0° C |
工作温度:-148 to 1022 F (-100 to 550 C) |
传感器技术:Wire Wound |
宽度 / 直径:0.1350 inch (3.43 mm) |
电阻系数:0.003850 Alpha / °C |
尺寸公差:±0.06 (1.5 mm) |
滞后误差:±0.1°C or better |
长期稳定性:Drift less than 0.1°C/year (normal use) |
最大冲击:100 g |
最大振动:20 g |
产品类别:Resistive Temperature Devices (RTD) Elements |
阻值公差:± 0.1% at 0°C |
温度系数 (TCR):0.003850 Alpha / °C |
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