工作温度:-13 to ? F (-25 to ? C) |
产品类别:Photoelectric Sensors |
反向电流(最大):10 μA |
响应时间(上升/下降):10 μs |
峰值灵敏度波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
暗电流(最大):0.5 μA |
最大存储温度:+85 ℃ |
最大工作温度:+85 ℃ |
最大输入功耗:80 mW |
最大输入反向电压:5 V |
最大输入正向电流:50 mA |
最大输出功耗:80 mW |
最大输出发射极-集电极电压:4.5 V |
最大输出集电极-发射极电压:30 V |
最大输出集电极电流:30 mA |
正向电压(典型):1.3 to 1.6 V |
红外发射二极管峰值波长:950 nm |
红外发射二极管截止频率:1 MHz |
集电极-发射极饱和电压(最大):0.4 V |
集电极电流(典型范围):0.45 to 4.95 mA |
工作温度:-13 to ? F (-25 to ? C) |
产品类别:Photoelectric Sensors |
响应时间:10 μs |
峰值灵敏度波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
最大功耗(输入):80 mW |
最大功耗(输出):80 mW |
最大存储温度:-40 to +100 ℃ |
最大输入反向电压:5 V |
最大输入正向电流:50 mA |
最大输出集电极-发射极电压:30 V |
最大输出集电极电流:30 mA |
集电极-发射极饱和电压:0.3 V |
工作温度范围(放大器单元):-13 to ? F (-25 to ? C) |
Product Category:Photoelectric Sensors |
响应时间:10 μs |
存储温度范围:-40 to +100 ℃ |
峰值发光波长:950 nm |
峰值灵敏度波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
截止频率:1 MHz |
暗电流:0.5 μA |
最大输入反向电压:5 V |
最大输入正向电流:50 mA |
最大输出发射极-集电极电压:4.5 V |
最大输出集电极-发射极电压:30 V |
最大输出集电极电流:30 mA |
集电极-发射极饱和电压:0.3 V |
工作温度范围(放大器单元):-13 to ? F (-25 to ? C) |
Product Category:Photoelectric Sensors |
产品类别:光电传感器 |
响应时间(上升/下降):10 μs (Vcc=5V, IF=20mA, RL=100Ω) |
外形尺寸:未提供具体数值,但标注为超小型,间隙1.2mm |
存储温度范围:-30 to +85 ℃ |
峰值发射波长:950 nm |
峰值灵敏度波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
截止频率:1 MHz (IF=50mA) |
焊接温度:260/5 °C/sec |
输入功耗:80 mW |
输入反向电压:5 V |
输入反向电流:≤10 μA (VR=5V) |
输入正向电压:1.3 to 1.6 V (IF=50mA) |
输入正向电流:50 mA |
输出功耗:80 mW |
输出发射极-集电极电压:4.5 V |
输出暗电流:≤0.5 μA (Vce=10V) |
输出集电极-发射极电压:30 V |
输出集电极电流:30 mA |
集电极-发射极饱和电压:≤0.4 V (IF=20mA, Ic=0.1mA) |
集电极电流:0.45 to 4.95 mA (Vce=5V, IF=20mA) |
工作温度范围(放大器单元):-13 to ? F (-25 to ? C) |
Product Category:Photoelectric Sensors |
存储温度范围:-30 to 85 ℃ |
工作温度范围:-25 to 85 ℃ |
最大功耗(输入LED):5 mW |
最大反向电压:5 V |
最大正向电流:50 mA |
最大输出功耗:80 mW |
最大集电极电流:30 mA |
输出类型:2-phase Output Type |
间隙宽度:1.5 mm |
集电极-发射极电压:30 V |
工作温度:-13 to ? F (-25 to ? C) |
产品类别:Photoelectric Sensors |
反向电流(典型):10 μA |
响应时间:10 μs |
峰值发光波长:950 nm |
峰值响应波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
截止频率:1 MHz |
暗电流:0.5 μA |
最大灵敏度波长:800 nm |
最大输入反向电压:5 V |
最大输入正向电流:50 mA |
最大输出集电极-发射极电压:30 V |
最大输出集电极电流:30 mA |
正向电压(典型):1.3 to 1.6 V |
集电极-发射极饱和电压:0.4 V |
工作温度:-13 to ? F (-25 to ? C) |
产品类别:Photoelectric Sensors |
工作温度:-13 to ? F (-25 to ? C) |
产品类别:Photoelectric Sensors |
响应时间:10 μs |
存储温度范围:-30 to +85 °C |
峰值发光波长:470 nm |
工作温度范围:-25 to +85 °C |
最大灵敏度波长:800 nm |
聚焦距离:5 mm to 12 mm |
输入功耗:100 mW |
输入反向电压:5 V |
输入反向电流:≤100 μA (VR=5V) |
输入正向电压:3.5 to 3.8 V (IF=20mA) |
输入正向电流:25 mA |
输出功耗:80 mW |
输出发射极-集电极电压:4.5 V |
输出暗电流:≤10 μA (VCE=10V) |
输出集电极-发射极电压:30 V |
输出集电极电流:30 mA |
高度:0.1102 inch (2.8 mm) |
产品长度:0.1732 inch (4.4 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Body Shape:Slot |
Manufacturer Part Number:RPI-0226 |
Product Category:Photoelectric Sensors |
上升时间:50 µs |
下降时间:50 µs |
外形尺寸:4.4 x 2.7 x 2.8 mm |
安装类型:表面安装 |
封装类型:SMD |
峰值响应波长:800 nm |
最大工作温度:+85 ℃ |
最大输入正向电流:50 mA |
最大输出集电极电流:30 mA |
最小工作温度:-30 ℃ |
通道数量:1 |
间隙宽度:2.0 mm |
高度:5.4 mm |
产品长度:0.2520 inch (6.4 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
工作温度范围(放大器单元):185 F (85 C) |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
定位销:高安装精度 |
Body Shape:Slot |
Manufacturer Part Number:RPI-0352E |
Product Category:Photoelectric Sensors |
产品型号:RPI-0352E |
典型上升时间:10 µs |
典型下降时间:10 µs |
存储温度范围:-40 to +85 ℃ |
安装类型:表面安装 |
尺寸:6.4 x 4.2 x 5.4 mm |
峰值发光波长:850 nm |
峰值灵敏度波长:800 nm |
工作温度范围:-30 to +85 ℃ |
输入功耗:70 mW |
输入反向电压:5 V |
输入正向电流:35 mA |
输出功耗:80 mW |
输出发射极-集电极电压:4.5 V |
输出集电极-发射极电压:30 V |
输出集电极电流:30 mA |
通道数量:1 |
重量:5.4 mm |
长度:6.4 mm |
间隙:3.0 mm |
高度:0.2047 inch (5.2 mm) |
产品长度:0.1969 inch (5 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
工作温度范围(放大器单元):185 F (85 C) |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Body Shape:Slot |
Manufacturer Part Number:RPI-243 |
Product Category:Photoelectric Sensors |
产品型号:RPI-243 |
产品类别:光电传感器 |
发射器与探测器间距:2.0 mm |
发射器反向电压:5 V |
发射器正向电压:1.3~1.6 V (IF=50mA) |
发射器正向电流:50 mA |
响应时间:10 μs (Vcc=5V, IF=20mA, R=100Ω) |
外形尺寸(长×高):0.1969英寸(5mm) × 0.2047英寸(5.2mm) |
外形结构:开槽型 |
存储温度范围:-30℃~+100℃ |
封装形式:DIP4 |
峰值响应波长:800 nm |
工作温度范围:-25℃~+85℃ |
开槽宽度:0.4 mm |
集电极-发射极电压:30 V |
集电极功率耗散:80 mW |
高度:0.2047 inch (5.2 mm) |
产品长度:0.1969 inch (5 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
工作温度范围(放大器单元):185 F (85 C) |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Body Shape:Slot |
Manufacturer Part Number:RPI-246 |
Product Category:Photoelectric Sensors |
产品型号:RPI-246 |
产品类别:光电传感器 |
反向电流(输入):≤10 μA |
发射器与探测器间隙:2.0 mm |
响应时间:10 μs |
存储温度范围:-30 to +85 ℃ |
峰值发光波长:950 nm |
峰值灵敏度波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
截止频率:1 MHz |
暗电流(输出):≤0.5 μA |
正向电压(输入):1.3 to 1.6 V |
输入功耗:80 mW |
输入反向电压:5 V |
输入正向电流:50 mA |
输出功耗:80 mW |
输出发射极-集电极电压:4.5 V |
输出集电极-发射极电压:30 V |
输出集电极电流:30 mA |
长度:0.1969 inch (5 mm) |
集电极-发射极饱和电压:≤0.4 V |
集电极电流(典型):0.35 to 1.2 mA |
高度:0.2126 inch (5.4 mm) |
产品长度:0.2520 inch (6.4 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
工作温度范围(放大器单元):185 F (85 C) |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Body Shape:Slot |
Manufacturer Part Number:RPI-352 |
Product Category:Photoelectric Sensors |
发射器与探测器间距:3.0 mm |
响应时间:10 μs |
型号:RPI-352 |
外形尺寸(长×宽×高):0.2520英寸(6.4mm) × 未定义 × 0.2126英寸(5.4mm) |
外形样式:Slot(开槽式) |
存储温度范围:-30℃ 至 +85℃ |
峰值灵敏度波长:800 nm |
工作温度范围:-25℃ 至 +85℃ |
最大工作温度:185°F (85°C) |
输入LED最大反向电压:5 V |
输入LED最大正向电流:50 mA |
输出晶体管最大发射极-集电极电压:4.5 V |
输出晶体管最大集电极-发射极电压:30 V |
输出晶体管最大集电极电流:30 mA |
高度:0.2047 英寸 (5.2 mm) |
产品长度:0.3150 inch (8 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
工作温度范围(放大器单元):185 F (85 C) |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Body Shape:Slot |
Manufacturer Part Number:RPI-441C1 |
Product Category:Photoelectric Sensors |
产品类别:光电传感器 |
制造商型号:RPI-441C1 |
外形形状:Slot |
工作温度:185 F (85 C) |
长度:0.3150 英寸 (8 mm) |
高度:6.5mm |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Manufacturer Part Number:RPR-220 |
Product Category:Photoelectric Sensors |
上升时间:10µs |
下降时间:10µs |
产品类别:光电传感器 |
制造商型号:RPR-220 |
安装类型:通孔 |
封装类型:径向 |
尺寸:6.4 x 4.9 x 6.5mm |
峰值波长:800nm |
管脚数:4 |
输出设备:光电晶体管 |
通道数:1 |
高度:6.5mm |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Manufacturer Part Number:RPR-220UC30N |
Product Category:Photoelectric Sensors |
上升时间:10µs |
下降时间:10µs |
产品类别:光电传感器 |
传感器距离:6mm |
制造商型号:RPR-220UC30N |
包装类型:径向 |
反向电流(最大):100µA |
响应时间:10µs |
存储温度范围:-30 to +85℃ |
安装类型:通孔 |
尺寸:6.4 x 4.9 x 6.5mm |
峰值发光波长:800nm |
工作温度范围:-25 to +85℃ |
截止频率:1MHz |
暗电流(最大):10µA |
最大灵敏度波长:800nm |
正向电压(典型):2.0V |
输入功耗:80mW |
输入反向电压:10V |
输入正向电流:30mA |
输出功耗:80mW |
输出发射极-集电极电压:4.5V |
输出设备:光电晶体管 |
输出集电极-发射极电压:30V |
输出集电极电流:30mA |
通道数量:1 |
针脚数量:4 |
集电极电流(典型):0.4mA |
饱和电压(典型):0.1V |
光束类型:红外 |
高度:2.2 mm |
产品长度:0.1181 inch (3 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
产品宽度:0.0591 inch (1.5 mm) |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Manufacturer Part Number:SCM-014TBT86 |
Product Category:Photoelectric Sensors |
光电流 (Ic):0.5 ~ 1 mA (典型值 1 mA) |
分类等级 (Ic):0.3 ~ 3.8 mA (A ~ D) |
发射极-集电极电压 (VECO):5V |
型号:SCM-014TBT86 |
存储温度范围:-30℃ ~ +100℃ |
安装类型:表面安装 |
宽度:1.5 mm |
封装类型:3015(1206) |
尺寸:3 x 1.5 x 2.2 mm |
峰值波长 (λP):800 nm |
工作温度范围:-30℃ ~ +85℃ |
暗电流 (ICEO):≤ 1 μA |
长度:3 mm |
集电极-发射极电压 (VCEO):32V |
集电极功耗 (Pc):100mW |
集电极电流 (Ic):30mA |
饱和压降 (VCE(sat)):≤ 0.4 V |
光束类型:红外 |
高度:0.8 mm |
产品长度:0.0787 inch (2 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
产品宽度:0.0492 inch (1.25 mm) |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Manufacturer Part Number:SML-H10TBT86 |
Product Category:Photoelectric Sensors |
产品类别:光电传感器 |
制造商型号:SML-H10TBT86 |
包装类型:2012(0805) |
安装类型:表面安装 |
宽度:1.25 mm |
尺寸:2 x 1.25 x 0.8 mm |
系列:SML |
输出信号类型:模拟 |
长度:2 mm |
高度:3.3 mm |
产品长度:0.1929 inch (4.9 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Body Shape:Slot |
Manufacturer Part Number:RPI-221 |
Product Category:Photoelectric Sensors |
产品类别:光电传感器 |
典型上升时间:10 µs |
典型下降时间:10 µs |
制造商型号:RPI-221 |
外形尺寸:4.9 x 2.6 x 3.3 mm |
存储温度范围:-30 to +85 ℃ |
安装方式:通孔 |
封装类型:DIP |
峰值发光波长:950 nm |
峰值灵敏度波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
引脚数:4 |
最大功耗:80 mW |
最大反向电压:5 V |
最大发射极-集电极电压:4.5 V |
最大截止频率:1 MHz |
最大暗电流:0.5 µA |
最大正向电流:50 mA |
最大输入功耗:80 mW |
最大集电极-发射极电压:30 V |
最大集电极-发射极饱和电压:0.4 V |
最大集电极电流:30 mA |
输出器件:光电晶体管 |
通道数:1 |
长度:4.9 mm |
高度:5.2 mm |
产品长度:0.3150 inch (8 mm) |
厂家:ROHM Semiconductor USA, LLC |
工作温度范围(放大器单元):185 F (85 C) |
zzs:ROHM Semiconductor USA, LLC |
Body Shape:Slot |
LED正向电压:1.3 V to 1.6 V |
Manufacturer Part Number:RPI-441C1E |
Product Category:Photoelectric Sensors |
上升时间:10 µs |
下降时间:10 µs |
制造商型号:RPI-441C1E |
外形尺寸:8 x 4.2 x 5.2 mm |
安装方式:通孔 |
峰值响应波长:800 nm |
工作温度:-25 ℃ to +85 ℃ |
引脚数:4 |
截止频率:1 MHz |
暗电流:0.5 µA |
最大LED正向电流:50 mA |
最大功耗:80 mW |
最大集电极-发射极电压:30 V |
最大集电极电流:30 mA |
红外发射峰值波长:950 nm |
输出设备类型:光电晶体管 |
通道数:1 |
长度:8 mm |
集电极-发射极饱和电压:0.4 V |
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