上升/下降时间:30 ns |
光敏电流:0.6 μA |
光谱灵敏度:高 |
反向击穿电压:30 V |
反向暗电流:30 nA |
发光功率:强 |
受光角度:80° |
回流焊温度:260℃ for 5 seconds |
存储温度范围:-40℃ to +100℃ |
封装尺寸:5.0*3.6*7.0 mm |
峰值波长:940 nm |
工作温度范围:-25℃ to +85℃ |
开路电压:350 mV |
总电容:25 pF |
最大功耗:150 mW |
光谱响应范围:760-1100 nm |
典型上升/下降时间:15 μs |
典型工作温度范围:-25℃ to +80 ℃ |
峰值波长:940 nm |
最大功耗:75 mW |
最大发射极-集电极电压:5 V |
最大集电极-发射极电压:30 V |
最大集电极电流:20 mA |
最小暗电流:100 nA |
光效:高 |
封装形式:一体化封装 |
工作寿命:长 |
接收距离:远 |
气密性:气密性好 |
环保标准:RoHS |
精度:高 |
耐高温性能:优良 |
光效:高 |
对射接收距离:远 |
封装形式:一体化封装 |
工作寿命:长 |
气密性:气密性好 |
环保标准:符合RoHS要求 |
精度:高 |
耐高温性能:优良 |
光谱带宽:50nm |
发光强度(20mA):3.5~10mW/sr |
发光强度(300mA):33~110mW/sr |
存储温度范围:-40℃~+100℃ |
封装尺寸:4.8*4.8*8.6mm |
峰值波长:940nm |
工作温度范围:-40℃~+85℃ |
最大功耗:100mW |
最大反向电压:5V |
最大反向电流:100μA |
正向电压(200mA):1.65~2.0V |
正向电压(50mA):1.32~1.45V |
脉冲正向电流(1/10占空比):0.8A |
芯片材质:GaAs / AlGaAs |
辐射角度:40° |
连续正向电流:80mA |
透镜材质:Water clear |
上升时间:15 μs |
下降时间:15 μs |
光谱带宽范围:760-1100 nm |
反向电压:5 V |
发射极-集电极击穿电压:3.5 V |
存储温度范围:-40℃ to +100℃ |
导通状态集电极电流:0.7-1.8 mA |
峰值灵敏度波长:940 nm |
工作温度范围:-25℃ to +85℃ |
引脚焊接温度(1.6mm处):260℃ for 5 seconds |
引脚焊接温度(5mm处):350℃ for 3 seconds |
暗电流:100 nA |
最大功耗:75 mW |
集电极-发射极击穿电压:30 V |
集电极-发射极饱和电压:0.4 V |
集电极电流:20 mA |
光谱带宽:50 nm |
存储温度范围:-35℃ to +85℃ |
封装尺寸:4.2×1.5×6.1 mm |
峰值波长:940 nm |
工作温度范围:-25℃ to +80℃ |
抗静电能力(ESD):>5 kV |
最大正向电流(连续):80 mA |
最大正向脉冲电流(1/10占空比):0.8 A |
正向电压(典型值,IF=50mA):1.3 V |
正向电压(最大值,IF=50mA):1.5 V |
视场角:75° |
辐射强度(典型值,IF=20mA):10 nW/sr |
辐射强度(最小值,IF=20mA):6.5 mW/sr |
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