功率 - 最大值:100 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:T-1 |
方向:顶视图 |
波长:800 nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
视角:60° |
功率 - 最大值:100 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:T-1 |
方向:顶视图 |
波长:800 nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
视角:60° |
功率 - 最大值:100 mW |
功率(最大值):100 mW |
存储温度范围:-30 to +100 ℃ |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:径向 |
封装类型:径向 |
峰值灵敏度波长:850 nm |
工作温度范围:-25 to +80 ℃ |
方向:侧视图 |
暗电流(最大值):500 nA |
波长:850nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):20 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 mA |
视角:70° |
视角(半角):35° |
集射极击穿电压(最大值):20 V |
集电极电流(最大值):30 mA |
功率 - 最大值:100 mW |
半功率角:70° |
存储温度范围:-30 to +100 ℃ |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:侧视图 |
峰值波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
方向:侧视图 |
暗电流(最大值):1 µA |
最大功率:100 mW |
波长:800nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):20 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):1 µA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 mA |
视角:140° |
集射极击穿电压(最大值):20 V |
集电极电流(最大值):10 mA |
功率 - 最大值:100 mW |
存储温度范围:-30 to +100 ℃ |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:轴向,扁平引线 |
峰值波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
方向:顶视图 |
暗电流 (Id):500 nA |
最大功率 (Pc):100 mW |
波长:800nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):20 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 mA |
视角:36° |
集射极击穿电压 (Vceo):20 V |
集电极电流 (Ic):30 mA |
功率 - 最大值:100 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:T-1 |
峰值发射波长:800 nm |
方向:顶视图 |
暗电流(最大值):500 nA |
最大功率:100 mW |
波长:800nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
视角:60° |
集射极击穿电压(最大值):30 V |
集电极电流(最大值):20 mA |
上升时间(典型值):5 μs |
下降时间(典型值):6 μs |
光电流(最小值):3.5 mA |
功率 - 最大值:100 mW |
半功率角度:80° |
发射极-基极击穿电压(最大值):5 V |
发射极-集电极击穿电压(最大值):3 V |
存储温度范围:-30 to +100 ℃ |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 |
峰值灵敏度波长:900 nm |
工作环境温度范围:-25 to +85 ℃ |
方向:顶视图 |
暗电流(最大值):2 μA |
波长:900nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):20 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):2 µA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
视角:160° |
集电极-发射极击穿电压(最大值):20 V |
集电极-发射极截止电流(最大值):2.0 μA |
集电极-发射极饱和电压(典型值):0.3 V |
集电极-基极击穿电压(最大值):30 V |
集电极功耗(最大值):100 mW |
集电极电流(最大值):20 mA |
功率 - 最大值:100 mW |
功率(最大值):100 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 |
峰值灵敏度波长:900 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
方向:顶视图 |
暗电流(最大值):2 µA |
波长:900nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):20 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):2 µA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
视角:160° |
集射极击穿电压(最大值):20 V |
集电极电流(最大值):20 mA |
功率 - 最大值:50 mW |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:轴向,扁平引线 |
方向:顶视图 |
波长:800 nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):20 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
视角:48° |
上升时间:3 μs (典型值) |
下降时间:3 μs (典型值) |
功率 - 最大值:50 mW |
半功率角度:48° |
存储温度范围:-30 to +100 ℃ |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:轴向,扁平引线 |
峰值波长:800 nm |
工作温度范围:-25 to +85 ℃ |
方向:顶视图 |
暗电流(最大值):500 nA |
最大功率:50 mW |
波长:800nm |
电压 - 集射极击穿(最大值):20 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
视角:48° |
集射极击穿电压(最大值):20 V |
集电极-发射极截止电流:0.01 to 0.5 μA |
集电极-发射极饱和电压:0.2 to 0.5 V |
集电极电流(最大值):20 mA |
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