ROHM Semiconductor 罗姆半导体
罗姆(ROHM)于1958年在京都成立,最初是小型电子元件的制造商。1967年生产扩大到晶体管和二极管,1969年增加了IC和其他半导体产品。两年后(1971年),与传统的日本商业文化背道而驰,ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心。以当时的企业规模,凭借被称为"超常思维"的创新理念,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,罗姆迅速发展,引起了业界的关注。ROHM的海外扩张很快成为其他公司的样板,并最终被接受为常见的商业惯例。旗下公司LAPIS Semiconductor Co.,Ltd.  通信用LSI,低功耗微控制器,语音合成LSI等阵容丰富的数码商品。Kionix,Inc.  MEMS技术的小型加速度传感器,确立了世界顶级传感器的地位。AGLED Co.,Ltd. 自1921年以来从事制造及销售照明灯具,正在扩大LED照明事业。发展战略1. 四个成长引擎 1) 融合罗姆的模拟IC与LAPIS SEMICONDUCTOR 的数字IC技术,开拓汽车与工业机器市场。 2) 以SiC(碳化硅)为核心的元器件技术、依据功率IC的控制技术以及将二者合二为一的模块技术。融合三项技术,为节能做贡献。 3) 以LED照明为中心,从LED元件、驱动IC到电源模块,提供LED的完整解决方案。 4) 2009年实现与MEMS加速度传感器开发商Kionix公司的集团化, 以世界顶尖的产品阵容,满足市场上对传感器的全部需求。2. 全球扩张 1) 在全球设立了12个开发据点作为设计中心。推进技术人员本地化进程。 2) 为确保品质,并迅速为客户答疑解惑,在全球设立了10个QA中心。 3) 在中国内地的5个城市(长春、西安、武汉、成都、重庆)设立了新的销售点。在所有23个据点均确立了中国销售网。 4) 在印度・巴西设立新的销售公司。参与新兴国家市场的开拓。3. CSR重点活动项目 1) 根据 ISO26000 推进罗姆集团CSR标准化。 2) 通过CSR委员会加强公司管理。 3) 积极与利益相关者进行交流,努力解决问题。 4) 减轻全球环境负担,对地球环境课题作出贡献。4. BCP(业务持续性计划)体制的加强 1) 彻底贯彻同一产品的多个基地生产。 2) 重新审视库存设计,确保安全库存。 3) 加强对泰国工厂洪水灾害的处理对策。(设置防水壁、加高1楼地板、确保人员数量等)传感器业务ROHM 集团拥有引以为豪的种类众多的环境传感器和运动传感器的丰富产品阵容。为了帮助客户充分发挥这些传感器的特点,ROHM一直在努力加强开发支持。2014年12月,为了强化传感解决方案业务的设计、开发支持功能,ROHM开设了芬兰软件研发中心。另外,还大力提供评估环境。"Sensor Platform Evaluation Kit"就是使各种传感器的评估和应用开发更容易的一款评估套件。另外,面向可穿戴式应用,还提供集成了控制多个传感器用微控制器与近距离无线通信的参考设计。主要产品传感器/MEMSCurrent Sensor IC, 霍尔IC系列, 照度传感器IC, 温度传感器IC,震动传感器用放大器 ,光学传感器放大器/比较器 ,电源管理 ,电机/执行机构驱动器 ,MOSFET/晶体管/二极管 ,功率器件 ,电阻器 / 电容器(capacitor),存储器 ,时钟/计时器 ,开关/多路转换器/逻辑 ,数据转换器 ,显示用驱动器 ,接口 ,无线LSI ,音频/视频 ,语音合成LSI ,微控制器 ,光学元器件 ,无线模块/热敏打印头 ,Foundry Service解决方案车载 工业设备 消费电子设备 功能(功能电路)中国业务罗姆半导体(上海)有限公司
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 RPM-075PTT86 光学传感器 - 光电晶体管

    工作温度:-30°C ~ 85°C(TA)
    视场角:120°
    最大集电极电流:10 mA
    暗电流(最大值):500 nA
    安装风格:表面贴装型
    封装尺寸:非标准型 SMD
    反向电压(最大值):20 V
    功率 - 最大值:50 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:非标准型 SMD
    峰值灵敏度波长:600 nm
    方向:顶视图
    最大功率:50 mW
    波长:600nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):20 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 mA
    视角:120°
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 RPT-38PT3F 光学传感器 - 光电晶体管

    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    视场角:72°
    最大集电极电流:30 mA
    暗电流(最大值):500 nA
    最大功率耗散:150 mW
    安装风格:通孔
    封装尺寸:径向
    反向电压(最大值):32 V
    波长通道:800 nm
    功率 - 最大值:150 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
    方向:顶视图
    波长:800nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 mA
    视角:72°
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 SML-810TBT86 光学传感器 - 光电晶体管

    安装方式:表面贴装型
    封装形式:2-SMD,无引线
    功率 - 最大值:80 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:2-SMD,无引线
    方向:顶视图
    波长:800 nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):0.5 µA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 mA
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 RPM-012PBT97 光学传感器 - 光电晶体管

    安装方式:表面贴装型
    工作温度:-30°C ~ 85°C(TA)
    封装形式:4-SMD,无引线
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-SMD,无引线
    峰值响应波长:800 nm
    方向:侧视图
    暗电流(最大值):500 µA
    最大功率耗散:75 mW
    波长:800nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):500 µA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    视角:24°
    集射极击穿电压(最大值):32 V
    集电极电流(最大值):20 mA
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 RPT-34PB3F 光学传感器 - 光电晶体管

    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装形式:径向
    功率 - 最大值:150 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
    方向:顶视图
    波长:800nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 mA
    视角:72°
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 RPT-37PB3FN 光学传感器 - 光电晶体管

    安装方式:通孔
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装形式:T-1
    功率 - 最大值:150 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:T-1
    方向:顶视图
    波长:800nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 mA
    视角:72°
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 RPT-38PB3F 光学传感器 - 光电晶体管

    安装方式:通孔
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装形式:T-1
    功率 - 最大值:150 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:T-1
    峰值灵敏度波长:800 nm
    方向:顶视图
    暗电流(最大值):500 nA
    最大功率:150 mW
    波长:800nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 mA
    视角:72°
    集射极击穿电压(最大值):32 V
    集电极电流(最大值):30 mA
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 RPM-20PBM 光学传感器 - 光电晶体管

    安装方式:通孔
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装形式:径向
    功率 - 最大值:100 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
    方向:侧视图
    暗电流 (Id) 最大值:500 nA
    最大功率:100 mW
    波长:800nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 mA
    视角:28°
    集射极击穿电压 (Vceo) 最大值:32 V
    集电极电流 (Ic) 最大值:30 mA
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 RPM-22PB 光学传感器 - 光电晶体管

    安装方式:通孔
    工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
    封装形式:径向
    功率 - 最大值:150 mW
    安装类型:通孔
    封装/外壳:径向
    方向:侧视图
    波长:800 nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):500 nA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 mA
    视角:64°
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 RPM-012PBT87 光学传感器 - 光电晶体管

    安装方式:表面贴装型
    工作温度:-30°C ~ 85°C(TA)
    封装形式:4-SMD,无引线
    功率 - 最大值:75 mW
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-SMD,无引线
    方向:侧视图
    波长:800 nm
    电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
    电流 - 暗 (Id)(最大值):500 µA
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA
    视角:24°

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