上升时间:0.1μs |
下降时间:0.1μs |
传播延迟时间 H→L:5 ~ 15μs |
传播延迟时间 L→H:5 ~ 15μs |
供电电压范围:4 ~ 18V |
半角:±60° |
封装/外壳:3-SMD,鸥翼 |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
最大功耗:175mW |
波长:400 ~ 1100nm |
波长范围:400 ~ 1100nm |
电流消耗(5V):3.3 ~ 5mA |
类型:光电探测器 - 逻辑输出 |
输出低电平电压:0.15 ~ 0.4V |
输出电流:16mA |
输出类型:低有效 |
输出高电平电压:4 ~ Vcc V |
迟滞比:0.5 ~ 0.9 |
阈值开启强度:1700 ~ 3200mW/m² |
上升时间(R=280Ω):0.1μs |
下降时间(R=280Ω):0.1μs |
传播延迟时间(H→L):5μs ~ 15μs |
低电平输出电压(16mA负载):0.15V ~ 0.4V |
供电电压范围:-0.5V ~ 20V |
光谱响应范围:840nm ~ 1080nm |
典型工作电流(Vcc=18V):5mA |
典型工作电流(Vcc=5V):3.3mA |
半角:±12° |
封装/外壳:侧视图 |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
总功耗:175mW |
最大工作电流(Vcc=5V):5mA |
最小辐照度阈值(Vcc=5V):+150mW/m² ~ +500mW/m² |
波长:950nm |
类型:光电探测器 - 逻辑输出 |
输出电流:50mA |
输出类型:低有效 |
迟滞范围:0.5 ~ 0.9(Ee.of/Ee,on) |
高电平输出电压(Vcc=5V):Vcc |
上升时间:0.1μs |
下降时间:0.1μs |
传播延迟时间 H→L:5 ~ 15μs |
传播延迟时间 L→H:5 ~ 15μs |
供电电压范围:4 ~ 18V |
半角:±60° |
封装/外壳:3-SMD,鸥翼 |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
最大功耗:175mW |
波长:400 ~ 1100nm |
波长范围:400 ~ 1100nm |
类型:光电探测器 - 逻辑输出 |
输出电流:16mA |
输出类型:低有效 |
迟滞比:0.5 ~ 0.9 |
阈值开启强度:1700 ~ 3200mW/m² |
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