ESD耐压(HBM):2000 V |
上升/下降时间(典型值):7 μs |
主波长(典型值):628 nm |
光敏面积(典型值):0.038 mm² |
光电流(典型值):≥16 μA |
光谱响应范围(典型值):440 ... 1150 nm |
光谱带宽(典型值):45 nm |
半角(典型值):± 60° |
响应时间:300ns,150ns |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-LCC(J 形引线) |
峰值波长(典型值):635 nm |
工作和存储温度范围:-40 ... 100 ℃ |
感应方法:反射 |
暗电流(典型值):1 nA |
最大光敏波长(典型值):990 nm |
最大功耗(光电晶体管):165 mW |
最大功耗(发射极):100 mW |
最大反向电压(发射极):5 V |
最大正向电流(发射极):30 mA |
最大集电极-发射极电压(光电晶体管):35 V |
最大集电极浪涌电流(光电晶体管):75 mA |
最大集电极电流(光电晶体管):15 mA |
正向电流(最大值):30 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):35 V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):30 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 mA |
结温:100 ℃ |
芯片尺寸(典型值):0.45 x 0.45 mm |
输出类型:光电晶体管 |
集射极击穿电压(最大值):35 V |
集电极-发射极饱和电压(典型值):150 mV |
集电极电流(最大值):15 mA |
响应时间:50µs,50µs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD |
感应方法:反射 |
感应距离:0.197inch(5mm) |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 mA |
输出类型:光电晶体管 |
响应时间:50µs,50µs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD |
感应方法:反射 |
感应距离:0.197inch(5mm) |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
输出类型:光电晶体管 |
反向电流(VR = 5 V):0.01 (≤ 1) μA |
发射波长:950 nm |
响应时间:50µs,50µs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD |
工作温度范围:-40...100 ℃ |
感应方法:反射 |
感应距离:0.197inch(5mm) |
暗电流(Vce = 20V, E = 0):3 (≤ 200) nA |
正向电压(IF = 50 mA):1.25 (≤ 1.65) V |
正向电流(最大值):50 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电容(VR = 0V, f = 1MHz):25 pF |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
输出类型:光电晶体管 |
集射极击穿电压(最大值):30 V |
集电极电流(最大值):20 mA |
发射波长:950 nm |
响应时间:30µs,40µs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD |
封装类型:6-SMD |
工作温度范围:-40...100 ℃ |
工作距离:0.197inch(5mm) |
感应方法:反射 |
感应距离:0.197inch(5mm) |
最大正向电流 (If):50 mA |
最大集电极电流 (Ic):10 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 mA |
输出类型:光电晶体管 |
集射极击穿电压 (Vce):30 V |
响应时间:50µs,50µs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD |
感应方法:反射 |
感应距离:0.197inch(5mm) |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
输出类型:光电晶体管 |
反向电流(VR = 5 V):0.01 (≤ 1) μA |
发射波长:950 nm |
响应时间:30µs,40µs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD |
工作温度范围:-40...100 ℃ |
感应方式:反射 |
感应方法:反射 |
感应距离:0.197inch(5mm) |
暗电流(Vce = 20 V):5 (≤ 50) nA |
正向电压(IF = 50 mA):1.25 (≤ 1.65) V |
正向电流(最大):50 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电容(VR = 0V, f = 1MHz):25 pF |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 mA |
输出类型:光电晶体管 |
集射极击穿电压(最大):30 V |
集电极电流(最大):10 mA |
响应时间:30µs,40µs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD |
感应方法:反射 |
感应距离:0.197inch(5mm) |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 mA |
输出类型:光电晶体管 |
光电流 (Vce = 5 V, Ev = 1000 Ix):1 mA |
反向电流 (VR = 5 V):0.01 (≤ 1) μA |
发射波长:950 nm |
响应时间:30µs,40µs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD |
工作温度范围:-40...100 ℃ |
感应方法:反射 |
感应距离:0.197inch(5mm) |
暗电流 (Vce = 20 V):5 (≤ 50) nA |
正向电压 (IF = 50 mA):1.25 (≤ 1.65) V |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电容 (VR = 0V, f = 1MHz):25 pF |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 mA |
输出类型:光电晶体管 |
集电极-发射极饱和电压:150 (<600) mV |
响应时间:30µs,40µs |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SMD |
感应方法:反射 |
感应距离:0.197inch(5mm) |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 mA |
输出类型:光电晶体管 |
上升时间:0.02 μs |
下降时间:0.01 μs |
供电电压范围:4 ... 18 V |
关闭时间:2 μs |
发射波长:950 nm |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-SOIC(0.126inch,3.20mm 宽) |
工作温度范围:-40 ... 100 ℃ |
开启时间:1 μs |
感应方法:反射 |
感应距离:0.039inch(1mm) |
热阻(结-环境):495 K/W |
电压 - 集射极击穿(最大值):5 V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):1 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):700 mA |
输出低电平电压:0.15 (<0.4) V |
输出电流:16 mA |
输出类型:晶体管 |
输出高电平电压:VCC (> 4.0) V |
阈值电流:1 (≤5) mA |
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