储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):62° |
透过波长范围:8~14μm 带通 |
平均透过率:≥75%,8~14μm |
平均截止率:1%,<7.5μm;1%, 15~21μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
型号:MTP10-A6F8 TSR |
封装形式:TO-39 |
工作温度:-30~100℃ |
平均透过率:≥ 75% |
视场 (50%最大信号):52° |
透过波长范围:8~14μm;带通滤光片 |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):62° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
NTCβ值:3950±1%K |
NTC阻值:100±3%kΩ |
储存温度:-40~125℃ |
响应率:43V/W |
噪声电压:27±2nV/Hz¹/² |
噪声等效功率:0.62nW/Hz¹/² |
工作温度:-30~100℃ |
感应区域:1.35*1.35mm² |
探测率:6.8E+07cmHz¹/²/W |
时间常数:32ms |
热电堆阻值:43±10%kΩ |
电阻温度系数:0.1%/℃ |
芯片面积:1.8*1.8mm² |
视场:52° |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:带通滤光片 |
透过波长范围:8~14μm |
平均透过率:≥75%,8~14μm |
平均截止率:1%,<7.5μm;1%, 15~21μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
型号:MTP10-B6F55TSR |
封装形式:TO-46 |
工作温度:-30~100℃ |
平均透过率:≥ 75% |
视场 (50%最大信号):76° |
透过波长范围:5.5~14μm;长波通滤光片 |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.1×1.1mm2 |
感应区域:0.75×0.75mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.1×1.1mm2 |
感应区域:0.75×0.75mm2 |
视场 (50%最大信号):76° |
透过波长范围:5.5~14μm 长波通 |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):12° |
DS比率:8:1 |
焦距 (未镀膜硅透镜):5.5mm |
透过波长范围:可提供镀膜:5.5~14μm 长波通;8.0~14μm带通 |
平均透过率:50% 5.5~14μm |
工作温度:-30~100℃ |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):7° |
DS比率:10:1 |
焦距 (未镀膜硅透镜):10.6mm |
透过波长范围:可提供镀膜:5.5~14μm 长波通;8.0~14μm带通 |
平均透过率:50% 5.5~14μm |
工作温度:-30~100℃ |
NTC B值:3950±1%K |
NTC阻值:100±3%kΩ |
储存温度:-40~125℃ |
响应率:43V/W |
噪声电压:27±2nV/Hz¹/² |
噪声等效功率:0.62nW/Hz¹/² |
工作温度:-30~100℃ |
感应区域:1.35*1.35mm² |
探测率:6.8E+07cmHz¹/²/W |
时间常数:32ms |
热电堆阻值:43±10%kΩ |
电阻温度系数:0.1%/℃ |
芯片面积:1.8*1.8mm² |
视场:18° |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):18° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):10° |
DS比率:8:1 |
透过波长范围:5.5~14μm 长波通 |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
精度:±2° C/±2%*Tobj |
工作温度:-20~85℃ C |
储存温度:-40~100℃ C |
滤光片类型:长波通 |
滤光片透过波长范围:5.5~14μm |
滤光片平均透过率:≥ 80%;5.5~14μm |
滤光片平均截止率:1% <5μm |
电源电压:2.4V~3.6V type:3.3V |
电源电流:连续模式:600μA; 休眠模式:5.0μA |
温度范围:-20~300℃ |
分辨率:0.1℃ |
视场:62° |
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