群光电能携手英飞凌CoolGaN™ G5晶体管，打造新一代高功率笔记本适配器
英飞凌科技（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY），作为全球领先的半导体解决方案提供商，近日宣布其CoolGaN™ G5氮化镓晶体管已被全球知名笔记本电源适配器厂商群光电能采用，用于为核心客户制造多款高性能适配器。此设计充分展现了氮化镓（GaN）功率器件在推动高能效、小体积电源解决方案方面的潜力，为计算设备实现更环保与更紧凑的设计提供了有力支撑。
笔记本适配器
该解决方案的核心组件为英飞凌CoolGaN™ G5晶体管，该器件专为各类工况下的高开关速度与低导通损耗设计。英飞凌的高压（HV）GaN晶体管采用混合漏极GIT（栅极注入晶体管）技术，具备卓越的高压栅极耐受能力、优异的动态导通电阻（RDS(on)）表现和硬开关性能，同时在饱和电流方面实现显著提升，从而增强整体器件可靠性。相较于前代产品，G5系列在RDS(on) * Qg等关键性能参数上实现了最高30%的提升。
英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl指出：“CoolGaN™ G5晶体管体现了我们在高性能功率半导体领域持续创新的承诺。本次与群光电能合作的项目展示了氮化镓技术如何在维持系统稳定性的同时，为终端用户带来更小体积、更快充电与更低能耗的实际价值。”
群光电能研发副总裁王洋表示：“英飞凌的G5晶体管为我们的设计带来了更大的灵活性与性能余量，使我们能够在有限空间内实现更高的功率密度和效率。此次合作使我们成功打造出符合高端笔记本市场需求的充电解决方案。”
依托群光电能的工程能力和英飞凌G5系列GaN晶体管的优势，该电源设计实现了多项技术突破，包括利用GaN器件的高频开关特性优化PFC与DC/DC拓扑结构，通过优化电路布局、滤波网络与开关波形以降低电磁干扰（EMI），同时满足严格的电磁兼容标准。此外，该设计还采用先进的热管理策略，确保在紧凑的机械结构中实现稳定运行，并支持在100-300W范围内的持续功率输出。
英飞凌目前拥有广泛的氮化镓产品矩阵，过去一年中推出了超过40款GaN新品，已成为众多寻求高性能GaN方案客户的首选供应商。公司正在推进300 mm GaN晶圆的规模量产，首批样品已交付客户试用。相较于传统晶圆尺寸，300 mm工艺可显著提升产能与交付效率，进一步增强英飞凌在氮化镓市场中的竞争优势。
供货信息
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关于英飞凌
英飞凌科技是一家在全球功率系统与物联网领域处于领先地位的半导体企业，致力于通过其创新产品与解决方案推动低碳化与数字化转型。截至2025年9月底，公司全球员工总数约为57,000人，2025财年（截至9月30日）营收达到约147亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），并在美国OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。
英飞凌中国
自1995年进入中国市场以来，英飞凌在中国的发展步伐不断加快。公司自1995年10月在无锡设立首家工厂以来，已逐步建立起覆盖生产、销售、市场、技术支持等环节的完整产业链，并与中国领先企业及高校在销售、技术应用与人才培养等方面展开深入合作。目前，英飞凌在中国拥有超过3,000名员工，已成为推动公司全球业务增长的重要力量。
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