英飞凌CoolGaN™ G5晶体管助力群光电能打造高效笔记本适配器
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为全球领先的半导体企业之一，近期宣布其CoolGaN™ G5氮化镓晶体管已成功应用于群光电能的笔记本适配器产品中。这一合作标志着氮化镓（GaN）功率器件在推动充电技术小型化与能效提升方面迈出了重要一步，同时也为笔记本电脑等主流计算设备的可持续发展提供了可行路径。
笔记本适配器
英飞凌CoolGaN™ G5晶体管是此次适配器方案的核心器件。该晶体管专为实现多工况下的快速开关和低导通损耗设计。基于混合漏极GIT（栅极注入晶体管）结构，这款高压（HV）GaN晶体管不仅展现出卓越的高压栅极稳定性，还具备优异的动态导通电阻（RDS(on)）和硬开关性能。其饱和电流的显著提升，使整体器件可靠性大幅提升。数据显示，G5系列在关键性能指标如RDS(on) * Qg方面较前代产品最高提升了30%。
英飞凌氮化镓产品业务负责人Johannes Schoiswohl表示：“CoolGaN™ G5晶体管代表了公司在高性能功率半导体领域的持续投入。此次与群光电能的合作不仅推动了前沿技术的应用，也证明了GaN技术在实现小型化、高速充能与节能方面的实际潜力。”
群光电能研发副总裁王洋指出：“采用英飞凌CoolGaN™ G5器件后，我们在紧凑结构内实现了更高的功率密度与能效。这次合作助力我们打造出符合高端笔记本用户需求的充电解决方案。”
此次合作所推出的技术方案在工程层面具备多项优势，包括：
- 利用GaN器件的高频开关能力，优化了PFC（功率因数校正）和DC/DC转换模块的设计，从而提升整体系统效率；
- 在电磁干扰（EMI）控制方面，通过布局优化、滤波策略和开关波形调整，达到严格的电磁兼容性标准；
- 采用热管理优化策略，确保在小型化外壳中实现低温运行，并能稳定输出100-300W的功率。
英飞凌目前已推出超过40款GaN产品，拥有广泛的产品组合，成为众多客户信赖的GaN解决方案首选。同时，公司正积极推进300 mm晶圆规模的GaN制造工艺，首批样品已顺利交付客户。这一进步将大幅提高GaN器件的产能与交付速度，进一步增强其在全球GaN市场的领先地位。
供货信息
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关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球在功率系统与物联网领域领先的半导体企业。凭借其创新性产品与解决方案，推动低碳化与数字化转型。截至2025年9月，公司员工总数约为57,000人，2025财年的营收达147亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），并同时在美国OTCQX市场交易（股票代码：IFNNY）。
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自1995年起，英飞凌正式进入中国市场，并于同年在无锡设立首家工厂。经过数十年的发展，公司在中国的员工人数已超过3,000人，成为推动全球业务增长的重要力量。英飞凌在中国建立了完善的生产、市场、技术支持与销售体系，并与本地领先企业和高校在应用技术与人才培养方面展开了深入合作。
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