英飞凌CoolGaN™ G5晶体管助力群光电能开发新一代高性能笔记本适配器
英飞凌科技股份公司，作为全球领先的功率系统与物联网领域半导体供应商（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY），近日宣布，其CoolGaN™ G5氮化镓晶体管已被全球知名的笔记本适配器制造商群光电能采用，用于为多个一线笔记本品牌打造高功率适配器。该方案不仅展示了GaN功率器件如何推动充电技术向更高效、更紧凑的方向发展，也为主流笔记本产品带来更高的能效与更轻薄的设计。
这款适配器设计的核心是英飞凌CoolGaN™ G5晶体管。该器件专为多种工作条件下的高速开关与低导通损耗而开发，采用混合漏极GIT（栅极注入晶体管）架构，具备卓越的高压栅极稳定性、优越的动态导通电阻（RDS(on)）表现以及硬开关能力，并在饱和电流方面实现了显著提升，全面增强器件的可靠性与性能。
英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“CoolGaN™ G5晶体管体现了我们在高可靠性与高性能功率半导体方面的技术追求。此次与群光电能的合作，不仅为客户提供了更轻、更薄、更高效的充电器，也印证了GaN技术在提升终端产品体验方面的巨大潜力。”
群光电能研发副总裁王洋表示：“CoolGaN™ G5晶体管为我们的设计提供了更大的空间，使得我们在有限的体积内实现更高功率密度与转换效率。这一合作成果完全符合主流笔记本品牌对高性能、高品质充电方案的期待。”
在此次适配器设计中，结合群光电能的工程经验与英飞凌CoolGaN™ G5的性能优势，方案亮点包括：
- 利用GaN器件的高频开关性能，优化PFC与DC/DC级的拓扑结构，从而提升整体系统效率；
- 通过优化PCB布局、滤波电路与开关波形设计，有效降低电磁干扰（EMI），满足严格的电磁兼容标准；
- 采用紧凑型散热设计，实现低温运行并支持100-300W持续输出功率。
作为GaN领域的领导者，英飞凌在过去一年中推出了超过40款新的GaN产品，成为众多寻求高性能GaN解决方案客户的首选合作伙伴。公司目前已启动300 mm氮化镓晶圆的大规模制造，首批样品已交付客户。该技术将显著提升高良率GaN器件的产能与交付效率，进一步加强英飞凌在GaN市场的领先地位。
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关于英飞凌
英飞凌科技是全球领先的半导体企业之一，专注于功率系统与物联网领域。公司致力于通过先进的产品与解决方案推动低碳与数字化转型。截至2025年9月，英飞凌全球员工总数约57,000人，2025财年（截止至9月30日）营收约为147亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）以及美国OTCQX市场（股票代码：IFNNY）上市。
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自1995年进入中国市场以来，英飞凌在中国大陆持续深耕。自无锡首家企业设立以来，其业务迅速扩展，目前在中国拥有超过3,000名员工，已成为公司全球战略的重要组成部分。英飞凌在中国建立了完整的产业链，涵盖生产、销售、市场及技术支持，并与本地领先企业、高校在销售、技术应用与人才培养等领域展开深度合作。
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