罗姆的节能SiC-MOSFET如何减少开关损耗?

来源:电子工程世界
姆罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可最大限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%。

  罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可最大限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。


  通过使用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚得以分离,从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗,对于必须提供不间断电源的高性能应用尤其具有吸引力。特别是随着先进AI和IoT的发展,对于云服务的需求不断增长,数据中心面临着在降低功耗的同时还要提高容量和性能的挑战。

  配套评测板(P02SCT3040KR-EVK-001)带有针对驱动SiC器件而优化的栅极驱动器IC (BM6101FV-C)。多个电源IC和分立组件有利于应用评测和开发。由于兼容两种封装类型(TO-247-4L和TO-247N),可在相同的条件下进行评测。这个评测板可用于升压电路、2级逆变器和同步整流降压电路中的双脉冲测试和组件评测。

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