三星电子拟投资8万亿韩元建NAND闪存生产线

来源:大比特商务网
据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资8万亿韩元(约合人民币466亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。

  6月2日消息,据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资8万亿韩元(约合人民币466亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。


  生产线建设上月已经开始,预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。

  三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能物联网等第四次工业革命,以及5G普及而来的NAND需求。

  5月,三星电子还透露,已在平泽投资建设生产线,新产线专注于基于极紫外光刻(EUV)技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设,预计明年下半年开始量产5nm芯片。

  三星电子表示,加上平泽生产线,韩国将拥有7条芯片制造产线。

  三星电子去年4月曾提出“半导体愿景2030”,计划到2030年对系统芯片研发和生产技术领域投资133万亿韩元(约合人民币7658亿元)。

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