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 线性霍尔位置传感器

霍尔位置传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855-1938)于1879在研究金属的导电机制时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种,广泛地应用于工业自动化技术、检测检测技术及信息处理方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度计载流子迁移率等重要参数。
霍尔效应的本质是带电粒子在磁场中受到洛伦兹力作用引起偏转,使其聚集产生电场,电场则会阻止带电粒子偏转,最终当电场力和洛伦兹力达到平衡时,由于带电粒子聚集产生的电压被称为霍尔电压。霍尔电压大小取决于:霍尔常数,它与具体材质有关;霍尔元件的偏置电流;磁场强度;霍尔元件厚度。最终可通过对霍尔电压得出想要测量的磁场。霍尔位置传感器通过磁场为平台,来测量对象的位置变化,具体做法很多,主要是通过测量对象的位置变化来改变磁场在霍尔元件中的大小,再利用磁场和霍尔电压的关系最终得到位置变化情况。
霍尼韦尔针对实际需求开发了多种型号的线性霍尔位置传感器,能满足各种测量要求。霍尼韦尔的线性位置传感器可以用在电流感应、电机控制、位置传感、磁性编码读数、旋转编码器、铁磁性金属检测器、液位传感器等方面。

型号 电流 工作温度 磁感应范围 
  1  
SS94系列 10mA -40℃~100℃ -50 mT至50 mT  查看
SS49E系列 10mA -40℃~100℃ -100 mT 至 100 mT  查看
SS491B 10 mA -40℃~150℃ -6 mT 至 6 mT  查看
SS490系列 10 mA -40℃~150℃ -6 mT 至 6 mT  查看
91SS系列 19 mA(最大) -40℃~150℃ -40 mT 至 40 mT  查看
SS59ET系列 6mA -40℃~100℃ -1000G~1000G  查看
SS39ET系列 6mA -40℃~100℃ -1000G~1000G  查看
SS94A2 30 mA -40°C 至 125°C -50 mT ~ 50 mT  查看
SS94A1H 30 mA -40°C 至 125°C -50 mT ~ 50 mT  查看
SS94A1F 30 mA -40°C 至 125°C -10 mT ~ 10 mT  查看
SS94A1 30 mA -40°C 至 125°C -50 mT ~ 50 mT  查看
SS496B-T2 8.7 mA -40°C 至 150°C -84 mT 至 84 mT  查看
SS496B-SP 8.7 mA -40°C 至 150°C -84 mT 至 84 mT  查看
SS496B-S 8.7 mA -40°C 至 150°C -84 mT 至 84 mT  查看
SS496B-F 8.7 mA -40°C 至 150°C -84 mT 至 84 mT  查看
记录总数:41 | 页数:3123  

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