硅电容技术

VTI的加速度传感器是由高质量硅电容传感器元件和接口电子组成并装配在特定的应用包装中的。硅电容加速度传感器的元件是由单晶
硅和玻璃做成的。这种设计能确保相对于时间和温度的可靠性,史无前例的准确性和优秀的稳定性。通常一个元件能承受多余40000g的加速度
(1g=地球引力的加速度)。

在单晶硅中没有塑料变形和磁滞现象，它要么被制作成功或者完全被破坏。悬臂式的双电容传感元件设有超负荷保护，它能够测量两个方向的加速度。

加速度传感器的核心部分是微机械加速度传感器元件的对称电容块，它由三片相互被薄玻璃膜隔离的硅片组成。中间硅片是悬臂多射线式结构，在它上面的大的质量块，电容和弹性系数能独立的得到最佳结果。这正是在低g值量程内取得很好测量结果的原因。作用在硅片上的重力和加速的力量使单晶硅电射束振荡弯曲，这种偏差能被两金属膜为电极的电容之间的距离变化而测量出来。微机械片能使相对大的电容和电容变化容易的被检测出来。

双电容结构和它的对称性同时改进了零点的稳定性。发生在它们之中一个电容中的任何变化会引起对面电容中的相似变化而得到补偿。另外对称性能导致交叉轴误差较大。在VTI加速传感器的装配中对称性是由角度的准确度而确定的。不同的量程是由调节弦片的厚度来实现的。传感器元件的湿度由密封洞穴中的压力所决定的，此密封洞穴是由中间硅片，弦片和外层硅片构成。可以通过调整传感器元件来满足不同用途的需要，密封性是通过阳极与硅片牢固粘合而达到的。这样也省去了额外包装的需要，提高了产品质量的可靠性。